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湖北省潛江市-KrF/ArF光刻膠產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目可行性研究報(bào)告
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 鼎龍股份    2024-03-23

1、本項(xiàng)目的必要性

（1）公司落實(shí)打造進(jìn)口替代類創(chuàng)新材料平臺(tái)戰(zhàn)略目標(biāo)的戰(zhàn)略舉措

公司重點(diǎn)聚焦半導(dǎo)體創(chuàng)新材料領(lǐng)域，持續(xù)拓展半導(dǎo)體新材料產(chǎn)品布局，著力打造進(jìn)口替代類創(chuàng)新材料的平臺(tái)型公司。公司從 2012 年開始向半導(dǎo)體新材料領(lǐng)域轉(zhuǎn)型升級(jí)，在集成電路制造用 CMP 拋光墊材料領(lǐng)域進(jìn)行布局，通過長(zhǎng)期持續(xù)研發(fā)突破了相關(guān)產(chǎn)品的高技術(shù)門檻和產(chǎn)業(yè)化難關(guān)，并在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，幫助公司在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化大趨勢(shì)下抓住市場(chǎng)機(jī)遇，將成熟的開發(fā)成果快速轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟(jì)效益，同時(shí)持續(xù)拓展在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的產(chǎn)品布局，厚積薄發(fā)，助推公司實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期可持續(xù)的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

圍繞關(guān)鍵半導(dǎo)體材料共性技術(shù)的長(zhǎng)期積累，公司建立了七大技術(shù)平臺(tái)：有機(jī)合成技術(shù)平臺(tái)、無(wú)機(jī)非金屬材料技術(shù)平臺(tái)、高分子合成技術(shù)平臺(tái)、物理化學(xué)技術(shù)平臺(tái)、金剛石工具加工技術(shù)平臺(tái)、工程裝備設(shè)計(jì)技術(shù)平臺(tái)、材料應(yīng)用評(píng)價(jià)技術(shù)平臺(tái)。

本項(xiàng)目是公司深化賽道拓展，滿足公司業(yè)務(wù)布局，鞏固行業(yè)地位，響應(yīng)國(guó)家戰(zhàn)略以及下游市場(chǎng)需求，落實(shí)公司發(fā)展戰(zhàn)略的關(guān)鍵舉措，將進(jìn)一步助力半導(dǎo)體新材料從關(guān)鍵材料到光刻膠產(chǎn)品自主可控的全流程國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

（2）助力國(guó)家戰(zhàn)略、打破外部威脅的有力舉措

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入 5G、新能源汽車、人工智能、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等創(chuàng)新技術(shù)驅(qū)動(dòng)的新增長(zhǎng)階段。根據(jù) WSTS 統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模已從 2000 年的 2,044 億美元增長(zhǎng)至2022 年的 5,741 億美元，且預(yù)計(jì) 2024 年有望增長(zhǎng)至 5,884 億美元。由于技術(shù)壁壘高、國(guó)內(nèi)起步較晚，目前全球半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈依然由日本、歐美等境外企業(yè)占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位。

而光刻膠因其在集成電路先進(jìn)工藝中具有關(guān)鍵作用，加之技術(shù)壟斷和不宜長(zhǎng)期儲(chǔ)存的材料特性，常用作貿(mào)易摩擦的制裁手段。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分工協(xié)作背景下，全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)份額高度集中，主要用于先進(jìn)工藝的 KrF、ArF、EUV 光刻膠基本由外資壟斷。二十世紀(jì)九十年代中期，日本廠商憑借在光刻機(jī)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，以及工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)迭代的契機(jī)，正式進(jìn)入主流光刻膠市場(chǎng)，并逐漸占據(jù)主導(dǎo)地位。

日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、信越化學(xué)、住友化學(xué)、富士電子等日本企業(yè)占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額，美國(guó)杜邦、韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)也在積極參與半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

國(guó)際貿(mào)易摩擦削弱了中國(guó)半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)并購(gòu)和產(chǎn)品出口，“實(shí)體清單”限制了中國(guó)半導(dǎo)體的原料和技術(shù)進(jìn)口，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)安全造成了很大威脅。本項(xiàng)目的成功開展，有助于我國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)進(jìn)一步打破國(guó)外壟斷，加速又一關(guān)鍵材料的自主可控，增強(qiáng)行業(yè)自信的同時(shí)，帶動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商攻克其他技術(shù)難關(guān)的積極性。從行業(yè)上下游來(lái)說，助推提升中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的韌性和安全水平，減小發(fā)生半導(dǎo)體關(guān)鍵材料被“卡脖子”事件的可能。

（3）高端光刻膠國(guó)產(chǎn)化替代勢(shì)在必行，市場(chǎng)號(hào)角已吹響

光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈上游為感光材料、成膜樹脂、添加助劑、溶劑等光刻膠原材料；中游為基于配方的光刻膠生產(chǎn)合成，下游主要為各芯片應(yīng)用環(huán)節(jié)。由于光刻膠本身就是一種配方型的經(jīng)驗(yàn)學(xué)科，屬于化工、材料、電子等多學(xué)科交叉領(lǐng)域，其技術(shù)指標(biāo)和質(zhì)量一致性直接影響到半導(dǎo)體的性能、良品率、可靠性以及生產(chǎn)效率，故具有較高的行業(yè)進(jìn)入壁壘。

半導(dǎo)體光刻膠作為光刻工藝的關(guān)鍵材料，半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)品品種多、工藝難度大、認(rèn)證周期長(zhǎng)、質(zhì)量要求高、技術(shù)迭代快，廠商一旦進(jìn)入合格供應(yīng)商名單，且開始批量供應(yīng)后，后續(xù)訂單會(huì)較為持續(xù)穩(wěn)定。全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)份額高度集中，用于先進(jìn)工藝的 KrF、ArF、EUV 光刻膠基本由外資壟斷。

隨著我國(guó)加速擴(kuò)張 12 英寸晶圓制造產(chǎn)能，并且在國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)、先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)工藝量產(chǎn)等方面不斷取得重大突破，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起有望帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的全面提升。在當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境和國(guó)際形勢(shì)下，全球經(jīng)濟(jì)周期性波動(dòng)、國(guó)際貿(mào)易摩擦等因素增加了半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的不確定性，供應(yīng)鏈安全成為本土晶圓廠重要考量因素。

本項(xiàng)目在潛江市江漢鹽化工業(yè)園建設(shè) KrF/ArF 光刻膠生產(chǎn)線，樹脂、PAG等核心關(guān)鍵成分均在車間內(nèi)自主合成，上游原材料為國(guó)產(chǎn)通用型石化工業(yè)產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)從關(guān)鍵材料到光刻膠產(chǎn)品自主可控的全流程國(guó)產(chǎn)化，符合下游客戶產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全自主可控的需求。

2、本項(xiàng)目的可行性

（1）國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策支持，項(xiàng)目實(shí)施具有良好的政策土壤

2018 年 11 月，國(guó)家統(tǒng)計(jì)局發(fā)布《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)分類（2018）》，將光刻膠及配套試劑（集成電路）的電子專用材料制造，列為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)。2021 年 12 月，工信部等發(fā)布《“十四五”原材料工業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，提出圍繞集成電路等重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域，重點(diǎn)突破光刻膠等一批關(guān)鍵材料。2022 年 8 月，工信部發(fā)布《原材料工業(yè)“三品”實(shí)施方案》，提出到 2025 年，半導(dǎo)體材料等產(chǎn)品和服務(wù)對(duì)重點(diǎn)領(lǐng)域支撐能力顯著增強(qiáng)，原材料品種更加豐富、品質(zhì)更加穩(wěn)定、品牌更具影響力；支持鼓勵(lì)光刻膠等關(guān)鍵基礎(chǔ)材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

本項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容為 KrF/ArF 光刻膠產(chǎn)業(yè)化，屬于正性光刻膠中的化學(xué)放大型光刻膠1?；瘜W(xué)放大光刻膠對(duì)深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性，同時(shí)具有高對(duì)比度、高分辨率等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，公司本項(xiàng)目主要面向基于先進(jìn)工藝的 12 英寸晶圓制造，主要用于處理器、存儲(chǔ)器等高性能集成電路的光刻工藝。本項(xiàng)目產(chǎn)品主要使用的樹脂、PAG 等核心關(guān)鍵成分均將自主合成，上游原材料為國(guó)產(chǎn)通用型石化工業(yè)產(chǎn)品，符合國(guó)家鼓勵(lì)突破半導(dǎo)體關(guān)鍵材料瓶頸，發(fā)展高分辨率半導(dǎo)體光刻膠的產(chǎn)業(yè)政策要求。

（2）本項(xiàng)目符合半導(dǎo)體光刻膠向支撐先進(jìn)工藝發(fā)展的技術(shù)趨勢(shì)

作為半導(dǎo)體光刻膠的主流產(chǎn)品，KrF、ArF 光刻膠基本由外資壟斷，現(xiàn)階段迫切需要實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化技術(shù)突破。光刻是半導(dǎo)體晶圓制造工藝的根基，決定了晶體管的工作速度和集成度，一般占據(jù)著整套集成電路工藝的大部分時(shí)間和成本。光1針對(duì)正性光刻膠以是否使用化學(xué)放大（Chemically Amplified）機(jī)制可分為化學(xué)放大型光刻膠和非化學(xué)放大型光刻膠。

非化學(xué)放大型光刻膠 主要以重氮萘醌（DNQ）-酚醛樹脂（N ovolac）光刻膠為主，并主要應(yīng)用于 g 線和 i 線光刻工藝中?；瘜W(xué)放大型光刻膠在光引發(fā)下能夠產(chǎn)生一種催化劑，促使光化學(xué)反應(yīng)迅速進(jìn)行或者引發(fā)鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，從而快速改變基質(zhì)性質(zhì)進(jìn)而產(chǎn)生圖像。

當(dāng)光線從光刻膠頂部向光刻膠底部傳播時(shí)會(huì)被逐漸吸收，如果底部光強(qiáng)不足，外加光刻膠靈敏度較低，則最終容易形成梯形形貌。梯形形貌會(huì)明顯影響后續(xù)工藝的正常進(jìn)行，從而限制光刻工藝分辨率的進(jìn)一步提升。因此，提高光刻膠靈敏度的“化學(xué)放大”應(yīng)運(yùn)而生。在集成電路光刻技術(shù)開始使用深紫外（DUV）光源以后，化學(xué)放大技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流。

刻膠的分辨率、對(duì)比度、感光速度等技術(shù)指標(biāo)和質(zhì)量一致性，直接影響到集成電路的性能、良品率、可靠性以及生產(chǎn)效率。KrF、ArF 光刻膠覆蓋了從 0.25μm到7nm 的主要半導(dǎo)體先進(jìn)制造工藝，是現(xiàn)階段迫切需要實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化技術(shù)突破的半導(dǎo)體關(guān)鍵材料。

光刻膠組分的合成和純化技術(shù)難度極大，產(chǎn)品化過程需要與晶圓制造廠緊密配合，并具備安全可控的原材料供應(yīng)鏈。因此，光刻膠專用樹脂及其高純度單體、專用高純度化學(xué)增幅型光致產(chǎn)酸劑等關(guān)鍵材料的合成、純化、評(píng)價(jià)，是實(shí)現(xiàn) KrF、ArF 光刻膠產(chǎn)業(yè)化的基礎(chǔ)。

圍繞關(guān)鍵半導(dǎo)體材料共性技術(shù)的長(zhǎng)期積累，基于公司在高分子合成和有機(jī)合成方面的技術(shù)基礎(chǔ)，公司針對(duì) KrF、ArF 光刻膠的技術(shù)要求設(shè)計(jì)單體結(jié)構(gòu)、樹脂結(jié)構(gòu)、漿料配方等，提高純化、過濾、混配等工藝等級(jí)，開發(fā)出 KrF、ArF 光刻膠專用樹脂及其高純度單體、光致產(chǎn)酸劑等關(guān)鍵材料以及光刻膠產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)從關(guān)鍵材料到光刻膠產(chǎn)品自主可控的全流程國(guó)產(chǎn)化。

本項(xiàng)目產(chǎn)品的應(yīng)用特性和工藝指標(biāo)正在主流晶圓制造廠驗(yàn)證，KrF、ArF 光刻膠可達(dá)到極限分辨率，光學(xué)特性可達(dá)到同類產(chǎn)品的技術(shù)要求，技術(shù)指標(biāo)將滿足 12 英寸晶圓制造廠光刻和刻蝕的工藝要求，具有高分辨率、高對(duì)比度、高兼容性的技術(shù)特點(diǎn)，符合半導(dǎo)體光刻膠向高分辨率、支撐先進(jìn)工藝發(fā)展的技術(shù)趨勢(shì)。

（3）下游晶圓制造廠對(duì)國(guó)產(chǎn)KrF/ArF光刻膠需求迫切且市場(chǎng)廣闊

復(fù)雜的國(guó)際形勢(shì)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈，為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠導(dǎo)入晶圓制造廠創(chuàng)造了前所未有的機(jī)會(huì)。在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈相對(duì)穩(wěn)定的情況下，新廠商很難有機(jī)會(huì)進(jìn)入半導(dǎo)體制造的供應(yīng)鏈體系。半導(dǎo)體制造的潔凈等級(jí)較高、工藝流程復(fù)雜、材料種類繁多、訂單需求柔性，對(duì)原材料的成本敏感度低，對(duì)產(chǎn)線運(yùn)行的穩(wěn)定可靠要求高，主要通過追求較高的良品率來(lái)控制成本。

因此，晶圓制造廠更傾向于采用成熟穩(wěn)定的原材料來(lái)減少制造過程中的不穩(wěn)定因素。光刻膠作為光刻工藝中的關(guān)鍵材料，其技術(shù)指標(biāo)和質(zhì)量一致性直接影響到集成電路的性能、良品率、可靠性以及生產(chǎn)效率。所以，對(duì)于晶圓制造廠來(lái)說，更換光刻膠供應(yīng)商的成本極高。從目前國(guó)內(nèi)高端光刻膠布局來(lái)看，本土供應(yīng)能力仍明顯不足。

根據(jù) IC insights 數(shù)據(jù)，2019 年全球 10nm 及以下新建產(chǎn)能占比僅 4.4%，預(yù)計(jì) 2024 年該占比提升至約 30%。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，12 英寸芯片所用制程通常在 130nm 以下，且在持續(xù)向先進(jìn)制程轉(zhuǎn)移；另外根據(jù) SUMCO 統(tǒng)計(jì)，邏輯芯片中 28nm 以下先進(jìn)制程占比由 2012 年的不足 10%提高至 2021 年的 60%以上。

先進(jìn)制程產(chǎn)能占比提高推升 ArF、EUV 光刻膠用量。當(dāng)制程微縮至 180nm 以下時(shí)，開始采用 12 英寸晶圓，當(dāng)制程演進(jìn)至 90nm以下時(shí)，則全部采用 12 英寸晶圓。隨著大硅片趨勢(shì)和制程結(jié)構(gòu)升級(jí)，高端光刻膠的需求將會(huì)進(jìn)一步提升，帶動(dòng)單位面積晶圓消耗的光刻膠價(jià)值量不斷上升。

根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2022 年全球晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 447 億美元，同比增長(zhǎng) 10.5%。同時(shí)，根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2022 年全球 8 英寸和 12 英寸晶圓制造產(chǎn)能，中國(guó)分別占 21%和 22%；預(yù)計(jì) 2026 年中國(guó) 8 英寸和 12 英寸晶圓制造產(chǎn)能將占 22%和 25%。

根據(jù)芯思想和芯思想研究院的調(diào)研，截止 2023 年 12 月 20 日，中國(guó)大陸 12 英寸、8 英寸和 6 英寸及以下的硅晶圓制造線共有 210 條（不含純MEMS 生產(chǎn)線、化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線和光電子生產(chǎn)線）。光刻膠是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵材料，在晶圓產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張、單位面積晶圓耗用光刻膠價(jià)值量不斷上升的驅(qū)動(dòng)下，全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)有望保持穩(wěn)健增長(zhǎng)。

根據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中占比最大的為 ArF，達(dá) 40%，其次為 KrF 占比 33%；國(guó)內(nèi)方面，根據(jù) SIA 數(shù)據(jù)，2020 年我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中 ArF 占比 40%，KrF占比 39%。由此，中國(guó)晶圓制造產(chǎn)能建設(shè)及提升將有效拉動(dòng)對(duì) KrF、ArF 光刻膠的旺盛需求。

此外，3D NAND 堆疊技術(shù)是實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)的關(guān)鍵路徑，各存儲(chǔ)大廠紛紛追求更高層數(shù)堆疊。ASML 表示 500 層以下的 NAND 芯片仍以 ArF 光刻技術(shù)為主。由此，3D NAND 層數(shù)堆疊競(jìng)賽亦將助力推升 ArF 光刻膠用量。

（4）公司自身人才、技術(shù)等儲(chǔ)備充分，產(chǎn)業(yè)化能力較強(qiáng)，為項(xiàng)目順利開展提供足夠支撐

①人才儲(chǔ)備充分

公司堅(jiān)持材料技術(shù)創(chuàng)新與人才團(tuán)隊(duì)培養(yǎng)同步，已建立穩(wěn)定的核心技術(shù)人才團(tuán)隊(duì)，培養(yǎng)并儲(chǔ)備了一批既懂材料又懂應(yīng)用的專業(yè)人才團(tuán)隊(duì)。為滿足公司不斷拓展新材料項(xiàng)目開發(fā)的人力需求，公司持續(xù)積極擴(kuò)充技術(shù)人才團(tuán)隊(duì)，近三年研發(fā)人員的數(shù)量逐年增長(zhǎng)。公司擁有高效的“老帶新”成長(zhǎng)環(huán)境、完善的人才培養(yǎng)機(jī)制和專業(yè)化的研發(fā)平臺(tái)，人才得以快速成長(zhǎng)，能充分發(fā)揮公司技術(shù)人才的研發(fā)能力。

②技術(shù)儲(chǔ)備充分

光刻膠由成膜樹脂、感光材料、溶劑和添加劑等混合而成，樹脂在光刻膠原料中成本占比最大，其次是感光材料，溶劑成本占比相對(duì)較小。光刻膠組分的合成和純化技術(shù)難度較大，目前國(guó)內(nèi)主要光刻膠公司生產(chǎn)所用上述原材料基本依賴進(jìn)口。

從配方角度而言，為實(shí)現(xiàn)與已有供應(yīng)商產(chǎn)品的性能和參數(shù)的完全匹配，光刻膠廠商首先需要對(duì)成百上千個(gè)樹脂、光酸和添加劑進(jìn)行排列組合，其次還要不斷對(duì)各成分的比例進(jìn)行調(diào)整，以實(shí)現(xiàn)和現(xiàn)有產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)的完全匹配，這需要足夠的研發(fā)資源、經(jīng)驗(yàn)積累以及人才支持。

公司多年來(lái)圍繞核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)不斷通過內(nèi)研外展等多渠道進(jìn)行產(chǎn)業(yè)布局，基于公司在高分子合成和有機(jī)合成方面的技術(shù)基礎(chǔ)，以及公司通過半導(dǎo)體 CMP 制程工藝材料與主流晶圓制造廠建立的合作關(guān)系，公司針對(duì) KrF、ArF 光刻膠的技術(shù)要求設(shè)計(jì)單體結(jié)構(gòu)、樹脂結(jié)構(gòu)、漿料配方等，提高純化、過濾、混配等工藝等級(jí)，開發(fā)出 KrF、ArF 光刻膠專用樹脂及其高純度單體、光致產(chǎn)酸劑等關(guān)鍵材料以及光刻膠產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)從關(guān)鍵材料到光刻膠產(chǎn)品自主可控的全流程國(guó)產(chǎn)化。

③市場(chǎng)部署有效

公司本次募投產(chǎn)品及募投布局的關(guān)鍵原材料對(duì)應(yīng)產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，下游晶圓廠產(chǎn)能增加以及制程優(yōu)化提升等將帶動(dòng)公司產(chǎn)品需求增長(zhǎng)。且在當(dāng)前國(guó)家相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策大力支持、高端半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)替代及產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈自主可控需求迫切等有利因素的催化下，公司募投產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)替代需求大，市場(chǎng)前景較好。

公司半導(dǎo)體 CMP 制程工藝材料領(lǐng)域的 CMP 拋光墊、CMP 拋光液、清洗液產(chǎn)品，半導(dǎo)體顯示材料領(lǐng)域的 YPI、PSPI 產(chǎn)品，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈下游的國(guó)內(nèi)主流晶圓廠、顯示面板廠放量銷售并穩(wěn)定供貨，用產(chǎn)品的穩(wěn)定性、安全性，以及服務(wù)的及時(shí)性、有效性贏得了客戶的信任，與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈下游客戶建立了良好的客情關(guān)系。

客戶的信任能推動(dòng)新產(chǎn)品的合作開發(fā)、驗(yàn)證評(píng)估進(jìn)程，對(duì)已有產(chǎn)品逐步放量，根據(jù)客戶的反饋改進(jìn)產(chǎn)品提供了有力的支持，為公司打造創(chuàng)新材料平臺(tái)型企業(yè)、切入半導(dǎo)體材料領(lǐng)域其他關(guān)鍵新材料賽道，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期、持續(xù)、穩(wěn)步的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的支撐，為公司本次募投項(xiàng)目的快速產(chǎn)業(yè)化提供有效的市場(chǎng)準(zhǔn)備。

由此，公司為本項(xiàng)目的順利開展已做好了人才、技術(shù)、市場(chǎng)等方面的儲(chǔ)備，公司具備實(shí)施項(xiàng)目的能力，項(xiàng)目具備可行性。

3、本項(xiàng)目主要情況

（1）項(xiàng)目概況

本項(xiàng)目由控股子公司鼎龍（潛江）新材料有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施，計(jì)劃建設(shè)期三年，計(jì)劃總投資 80,395.30 萬(wàn)元，其中工程及設(shè)備設(shè)施合計(jì) 75,972.55 萬(wàn)元，占總投資 94.50%；建設(shè)用地投資 822.75 萬(wàn)元，占總投資 1.02%；預(yù)備費(fèi)和鋪底流動(dòng)資金合計(jì) 3,600.00 萬(wàn)元，占總投資 4.48%。

（2）本項(xiàng)目產(chǎn)品方案

本項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容為 KrF、ArF 光刻膠產(chǎn)業(yè)化，在潛江市江漢鹽化工業(yè)園建設(shè)KrF、ArF 光刻膠生產(chǎn)線，主要面向基于先進(jìn)工藝的 12 英寸晶圓制造，主要用于處理器、存儲(chǔ)器等高性能集成電路的光刻工藝。本項(xiàng)目產(chǎn)品為 KrF、ArF 光刻膠。

（3）項(xiàng)目用地、項(xiàng)目備案及報(bào)批事項(xiàng)

本項(xiàng)目主要采用自主建設(shè)的方式，在公司已取得土地上開工建設(shè)，建設(shè)地點(diǎn)位于湖北省潛江市江漢鹽化工業(yè)園長(zhǎng)飛大道 1 號(hào)。截至本報(bào)告出具之日，本項(xiàng)目已 取 得《 湖北 省固 定資 產(chǎn)投 資項(xiàng) 目備 案證 明》（登 記備 案項(xiàng) 目代 碼 ：2304-429005-04-01-249185）。

（4）項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益評(píng)價(jià)

經(jīng)測(cè)算，本項(xiàng)目具有良好的經(jīng)濟(jì)效益。