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廣東省韶關(guān)市-半導(dǎo)體集成電路靶材研發(fā)試制基地項(xiàng)目可行性研究報(bào)告
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 歐萊高新    2023-12-04

1、項(xiàng)目概況

本項(xiàng)目將通過(guò)購(gòu)置試制設(shè)備、辦公設(shè)備及相關(guān)配套設(shè)備，引進(jìn)專(zhuān)業(yè)技術(shù)研發(fā)人員，進(jìn)一步提升公司半導(dǎo)體集成電路用濺射靶材的技術(shù)研發(fā)實(shí)力和生產(chǎn)工藝水平。

本項(xiàng)目實(shí)施后，公司將建設(shè)半導(dǎo)體集成電路用濺射靶材試制基地，開(kāi)展半導(dǎo)體集成電路晶圓制造用濺射靶材的研發(fā)試制，對(duì)半導(dǎo)體集成電路晶圓制造用濺射靶材進(jìn)行研發(fā)試制、產(chǎn)品認(rèn)證和小批量生產(chǎn)，儲(chǔ)備半導(dǎo)體集成電路晶圓制造用濺射靶材相關(guān)技術(shù)，為后續(xù)半導(dǎo)體集成電路晶圓制造用濺射靶材產(chǎn)業(yè)化奠定基礎(chǔ)。

本項(xiàng)目實(shí)施主體為歐萊新材，項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn)為廣東省韶關(guān)市武江區(qū)創(chuàng)業(yè)路 5 號(hào) B幢廠房。公司已取得上述房屋權(quán)屬證明《不動(dòng)產(chǎn)權(quán)證書(shū)》，編號(hào)為“粵（2021）韶關(guān)市不動(dòng)產(chǎn)權(quán)第 0028673 號(hào)”。

2、項(xiàng)目投資概算和建設(shè)進(jìn)度

本項(xiàng)目投資總額為 8,108.30 萬(wàn)元。

3、項(xiàng)目備案程序履行情況

本項(xiàng)目已在韶關(guān)市工業(yè)和信息化局、韶關(guān)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)完成備案，項(xiàng)目代碼為 2209-440200-04-02-582681。

4、項(xiàng)目環(huán)保情況

本項(xiàng)目生產(chǎn)過(guò)程中的主要污染物包括廢水、廢氣、固體廢物、危險(xiǎn)廢物和噪聲，項(xiàng)目設(shè)計(jì)嚴(yán)格執(zhí)行國(guó)家現(xiàn)行廢水、廢氣、固體廢物、危險(xiǎn)廢物和噪聲等污染排放的規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)，并嚴(yán)格按照環(huán)境保護(hù)行政主管部門(mén)的要求進(jìn)行項(xiàng)目建設(shè)環(huán)境影響評(píng)價(jià)。本項(xiàng)目已取得韶關(guān)市生態(tài)環(huán)境局出具的韶環(huán)審[2022]76 號(hào)環(huán)境影響報(bào)告表批復(fù)文件，本項(xiàng)目符合國(guó)家和地方環(huán)保要求。

5、項(xiàng)目所需的時(shí)間周期和時(shí)間進(jìn)度

本項(xiàng)目建設(shè)周期為 3 年

6、項(xiàng)目可行性及其與公司現(xiàn)有主要業(yè)務(wù)、核心技術(shù)之間的關(guān)系

本項(xiàng)目將建成半導(dǎo)體集成電路用濺射靶材試制基地，增強(qiáng)公司在半導(dǎo)體集成電路用濺射靶材領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)創(chuàng)新能力和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力。

本項(xiàng)目實(shí)施后，公司將開(kāi)展半導(dǎo)體集成電路晶圓制造用濺射靶材的研發(fā)試制，為后續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體集成電路晶圓制造用濺射靶材產(chǎn)業(yè)化奠定技術(shù)基礎(chǔ)，有利于公司未來(lái)進(jìn)一步豐富產(chǎn)品類(lèi)型，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，拓展豐富高性能濺射靶材下游應(yīng)用范圍，提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。

報(bào)告期內(nèi)，公司已有部分濺射靶材應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路封裝領(lǐng)域，并在半導(dǎo)體集成電路晶圓制造用濺射靶材領(lǐng)域進(jìn)行了前期技術(shù)探索和研發(fā)儲(chǔ)備。公司組建了經(jīng)驗(yàn)豐富、專(zhuān)業(yè)高效的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，團(tuán)隊(duì)成員專(zhuān)業(yè)結(jié)構(gòu)合理，覆蓋了電子光學(xué)、工程學(xué)、材料學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)等多個(gè)專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域，對(duì)濺射靶材的產(chǎn)品技術(shù)和生產(chǎn)工藝?yán)斫馔笍?，具有深厚的技術(shù)積累和敏銳的市場(chǎng)洞察力，將為半導(dǎo)體集成電路用濺射靶材的成功試制提供技術(shù)支持和研發(fā)保障。

根據(jù) SEMI 統(tǒng)計(jì)，自 2016 年至 2021 年，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模從 430 億美元增長(zhǎng)至643 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 8.4%。2021 年半導(dǎo)體制造材料和半導(dǎo)體封測(cè)材料的市場(chǎng)規(guī)模分別為 404 億美金和 239 億美元，同比增長(zhǎng) 15.5%和 16.5%。

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。半導(dǎo)體集成電路晶圓制造用濺射靶材是晶圓制造中的關(guān)鍵原材料，國(guó)際大型濺射靶材廠商憑借專(zhuān)利技術(shù)上的先發(fā)優(yōu)勢(shì)以及雄厚的技術(shù)力量長(zhǎng)期占據(jù)全球市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

近年來(lái)，在國(guó)家和地方政府政策的大力支持下，半導(dǎo)體集成電路用高性能濺射靶材的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程開(kāi)始加速，國(guó)內(nèi)濺射靶材廠商迎來(lái)快速發(fā)展機(jī)遇。本項(xiàng)目將抓住半導(dǎo)體集成電路用濺射靶材市場(chǎng)快速發(fā)展的良好機(jī)遇，通過(guò)研發(fā)試制加快半導(dǎo)體集成電路用濺射靶材產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。