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總部生產及半導體硅NPS晶體單晶爐研發(fā)中心建設項目可行性研究報告
思瀚產業(yè)研究院 南京晶升    2023-03-24

公司是一家半導體專用設備供應商，主要從事晶體生長設備的研發(fā)、生產和銷售。自成立以來，公司基于高溫高真空晶體生長設備的技術同源性，結合“晶體生長設備—工藝技術—晶體材料”產業(yè)鏈上下游技術協同優(yōu)化的能力，致力于新產品、新技術及新工藝的研究與開發(fā)，并聚焦于半導體領域，向半導體材料廠商及其他材料客戶提供半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍寶石單晶爐等定制 化的晶體生長設備。

憑借領先的設備控制、設計技術和長晶工藝積累，公司推出了自主研發(fā)的 12 英寸半導體級單晶硅爐并實現量產銷售。

自 2015 年以來，公司與國內規(guī)模最 大的半導體硅片制造企業(yè)之一——滬硅產業(yè)保持穩(wěn)定的合作關系。滬硅產業(yè)子公 司上海新昇為國內率先實現 300mm（12 英寸）半導體硅片規(guī)模化生產及國產化 的半導體級硅片廠商。2018 年度，公司向其提供的 12 英寸半導體級單晶硅爐經 上海新昇的驗收通過，實現了 12 英寸半導體級單晶硅爐的國產化，降低了對國 外設備的依賴，助力我國半導體級晶體生長設備技術“自主可控”的進程。

隨著 以碳化硅為代表的第三代半導體材料興起，公司積極布局相關業(yè)務，憑借多年的研發(fā)與積累，成功開發(fā)碳化硅單晶爐產品，并于 2019 年實現量產銷售。

公司憑借多應用領域產品技術開發(fā)經驗，已在晶體生長設備領域形成豐富產品序列，可滿足客戶差異化、定制化的晶體生長制造工藝需求，逐步發(fā)展成為國內具有較強競爭力的半導體級晶體生長設備供應商。

依靠優(yōu)質的產品及服務質 量，公司得到了眾多主流半導體廠商的認可，陸續(xù)開拓了上海新昇、金瑞泓、神 工股份、三安光電、東尼電子、合晶科技及客戶 A 等客戶，已取得良好的市場 口碑，確立了公司在半導體級晶體生長設備領域的市場地位。

1、項目概況

近年來，我國半導體產業(yè)整體發(fā)展趨勢向好，為滿足下游客戶及終端市場對公司技術及產能不斷提出的更高要求，結合自身的未來發(fā)展規(guī)劃，公司擬建設集經營辦公和新產品技術研發(fā)于一體的綜合性總部大樓與廠房，以研發(fā)活動為基礎，配備相應的測試及組裝環(huán)境。

項目擬建設于江蘇省南京市南京經濟技術開發(fā)區(qū)龍北大道，預計占地面積 2.67 公頃，其中辦公和研發(fā)用地面積各為 0.4 公頃。公司擬購置氦氣檢漏儀、XRD 檢測儀、輔助加工生產線、輪廓儀、三坐標測量儀、氧化爐等，用于新產品和技術研發(fā)、測試及相應生產。本項目計劃涵蓋的主要研發(fā)內容如下：

（1）半導體硅 NPS 晶體單晶爐研發(fā)

公司將針對 14-28nm 工藝存儲用拋光片單晶爐進行研發(fā)，開發(fā)適合 NPS 單晶生長的熱場及工藝，升級控制硬件及策略，提高 NPS 晶體產出良率。

（2）6-8 英寸碳化硅單晶爐研發(fā)

動碳化硅單晶爐向 6-8 英寸拓展，在現有感應加熱 PVT 碳化硅單晶爐的基礎上，深入挖掘各項設備性能參數，從設計、制造、安裝、調試、維護等方面著手，提高操作便利性、減小機差，提高工藝可復制性，使設備能夠穩(wěn)定產出適合于 MOSFET 用的大尺寸碳化硅晶錠。

（3）溫度梯度可控單晶爐加熱及控制系統

開發(fā)其他類型的長晶方式，滿足不同層次產品需求。針對當前 PVT 法溫度梯度可控性差的問題，進一步開發(fā)包括電阻式加熱、液相法等其他碳化硅長晶技術，實現更優(yōu)的可控的單晶爐加熱。

本項目計劃于 2022 年開始建設，2025 年年初投產，項目達產后可實現各類晶體生長設備年產量 400 余臺，將成為研發(fā)及生產能力全國領先的晶體生長設備基地，緊跟國內外前沿技術，提高研發(fā)能力的同時實現產能擴充。

2、項目投資概算

本項目計劃總投資 27,365.39 萬元，其中工程費用合計 17,712.39 萬元，工程建設其他費用合計 3,653.00 萬元，預備費 1,500.00 萬元，鋪底流動資金 4,500.00萬元

3、項目實施進度安排

本項目的建設期主要包含以下五個階段：土地購置、廠房建設與裝修、設備安裝調試、人員招聘與培訓和試運轉，預計于 36 個月后完成該募集資金投資項目的建設，開始投產。

4、項目審批情況

2021 年 12 月 13 日，南京經濟技術開發(fā)區(qū)管理委員會行政審批局出具了《江蘇省投資項目備案證》（寧開委行審備[2021]294 號），同意“總部生產及研發(fā)中心建設項目”備案。

5、環(huán)境保護

本項目環(huán)境影響登記表已于 2022 年 3 月 1 日完成備案，項目備案證號為寧開委行審許可字[2022]37 號。

本項目建成后主要進行晶體生長設備的組裝、測試和研發(fā)，測試及研發(fā)過程會產生少量廢氣、廢水和固體廢棄物，經公司處理后對環(huán)境不產生任何污染，屬于環(huán)保、綠色、無害化產業(yè)。項目實施過程中公司將采取嚴格的污染物防治和處理措施，使運行產生的各種污染物及動力設備運行產生的噪聲均可得到有效治理，主要污染物均可達到標準排放，滿足國家環(huán)保部門下達的總量控制指標要求。

6、項目涉及新取得土地或房產情況

本項目的建設用地為新增土地，位于江蘇省南京市南京經濟技術開發(fā)區(qū)龍北大道，預計占地面積 2.67 公頃。2021 年 9 月 13 日，公司與南京經濟技術開發(fā)區(qū)管理委員會簽署了《晶升裝備研發(fā)及生產總部基地項目投資協議書》（[2021]23號）。

2021 年 12 月 14 日，南京市工業(yè)和信息化局出具了《關于南京經開區(qū)南京晶升裝備和南京中科煜宸等項目申請 50 年土地出讓年限的意見》（寧工信產業(yè)用地函[2021]13 號），該意見認為發(fā)行人該募投項目基本符合重大項目的土地出讓年限認定條件。

截至可研報告公布日，公司該用地的招拍掛程序已履行完畢，目前已完成用地的交割程序并開始實施廠房建設。

此報告為正式可研報告摘取部分，個性化定制請咨詢思瀚產業(yè)研究院。