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功率芯片研發(fā)升級及產(chǎn)業(yè)化項目可行性研究報告
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 協(xié)昌科技    2023-08-14

1、項目概況

本項目投資額 9,939.29 萬元，其中建設投資支出為 6,101.23 萬元，研發(fā)支出 2,136.30 萬元，鋪底流動資金 1,701.76 萬元。項目旨在對發(fā)行人現(xiàn)有功率芯片產(chǎn)品進行技術(shù)升級，研發(fā)新一代具有低功耗、高性能的功率芯片產(chǎn)品，完善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升公司整體盈利能力。

2、項目必要性

（1）實現(xiàn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級，打破國外企業(yè)的技術(shù)壟斷

芯片是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的核心與基石，是關(guān)系國民經(jīng)濟和社會發(fā)展全局的基礎性、先導性和戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。我國的功率芯片行業(yè)的起步較晚，功率芯片生產(chǎn)廠商與國際巨頭相比還有較大差距。目前全球主要的功率芯片廠商為英飛凌、德儀、STM、恩智浦等國外企業(yè)，國內(nèi)功率半導體產(chǎn)品需要大量進口，如IGBT 有 90%依賴進口32。

以 MOSFET 為例，目前英飛凌、安森美等國際先進企業(yè)均推出多型號的屏蔽柵功率 MOSFET 和超結(jié)功率 MOSFET 等高端產(chǎn)品，而國內(nèi)僅有少數(shù)幾家企業(yè)具備研發(fā)設計能力，個別性能參數(shù)較國外企業(yè)還存在一定差距。面對巨大的進口替代市場，國內(nèi)功率芯片設計企業(yè)亟待進行技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級。

本項目的實施，不僅有助于加快公司在功率芯片領(lǐng)域的技術(shù)追趕，打破國外企業(yè)技術(shù)封鎖，搶占未來競爭制高點，而且有助于改變當前嚴重依賴進口的依賴局面，推動高端功率芯片的國產(chǎn)化進程。

（2）完善研發(fā)體系，助力公司可持續(xù)發(fā)展

技術(shù)研發(fā)實力已成為決定功率芯片設計企業(yè)能否在市場競爭中取得成功的關(guān)鍵因素，高效的研發(fā)團隊、先進的研發(fā)設備、完善的研發(fā)體系，是公司技術(shù)研發(fā)實力的基本前提和重要保障。

項目擬新建器件測試實驗室、失效分析實驗室、可靠性實驗室、應用系統(tǒng)實驗室和 EDA 中心，配置國內(nèi)外先進的軟硬件設備，改善研發(fā)硬件能力，建立與公司發(fā)展規(guī)模相適應的技術(shù)研發(fā)平臺；引進和培養(yǎng)高端技術(shù)人才，加強研發(fā)人員儲備，提升研發(fā)創(chuàng)新能力，為新技術(shù)、新工藝的開發(fā)打下基礎；此外，通過優(yōu)化研發(fā)流程、完善研發(fā)體系，提升技術(shù)研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化的效率，確保公司在業(yè)內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，助力公司可持續(xù)發(fā)展。

（3）滿足市場需求

功率芯片是用來進行高效電能形態(tài)變換、功率控制與處理，以及實現(xiàn)能量調(diào)節(jié)的核心，幾乎進入國民經(jīng)濟各個工業(yè)部門和社會生活的各個方面，主要應用領(lǐng)域包括運動控制的變頻調(diào)速、智能電網(wǎng)、新能源及消費電子等。

近年來，隨著新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興行業(yè)的蓬勃發(fā)展，下游市場對功率芯片的需求持續(xù)增長。通過本項目的建設，公司將著力開發(fā)出一系列高性能產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用，滿足下游行業(yè)不斷增長的高端功率芯片需求。

3、項目可行性

（1）國家政策推動

功率芯片行業(yè)是國家鼓勵發(fā)展的高科技產(chǎn)業(yè)。

國務院于 2011 年 1 月發(fā)布《進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，國家發(fā)展和改革委員會、科學技術(shù)部、商務部和國家知識產(chǎn)權(quán)局聯(lián)合編制《當前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點領(lǐng)域指南（2011 年度）》、國家發(fā)改委《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務指導目錄（2016 版）等政策文件，均大力支持、鼓勵功率芯片行業(yè)的發(fā)展。

此外，功率芯片的下游應用領(lǐng)域也受到國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策的鼓勵和扶持，包括新能源汽車、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏風電等應用領(lǐng)域均在國家政策重點支持下蓬勃發(fā)展。國家相繼出臺的多項產(chǎn)業(yè)扶持政策為功率芯片產(chǎn)業(yè)及下游行業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境。

（2）優(yōu)秀的技術(shù)儲備為研發(fā)中心夯實基礎

公司經(jīng)過多年的技術(shù)積累，已經(jīng)獲得了豐富的功率芯片版圖設計、工藝開發(fā)、應用匹配等研發(fā)經(jīng)驗，能夠精確把握不同行業(yè)客戶的業(yè)務需求，不斷推出迎合市場需求的新技術(shù)、新產(chǎn)品，保持了良好的增長勢頭和核心競爭力。豐富的行業(yè)經(jīng)驗和技術(shù)儲備為本項目建設提供了堅實的基礎。

（3）經(jīng)驗豐富的研發(fā)團隊為項目實施提供保證

公司注重新產(chǎn)品的開發(fā)和創(chuàng)新，設立了研發(fā)中心，全面推進公司技術(shù)進步，不斷調(diào)整、優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，促進產(chǎn)品更新?lián)Q代，向多層次和專業(yè)化方向發(fā)展。

通過自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新，公司已經(jīng)具備溝槽型功率 MOSFET、屏蔽柵溝槽功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET 及 IGBT 的技術(shù)儲備，形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)體系，培養(yǎng)了一批具有豐富產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗的研發(fā)人員，建立了行而有效的研發(fā)管理機制，能夠為功率芯片研發(fā)升級及產(chǎn)業(yè)化項目提供保證。

4、項目投資概算

本項目計劃總投資為 9,939.29 萬元，其中建設投資 6,101.23 萬元，研發(fā)投入 2,136.30 萬元，鋪底流動資金 1,701.76 萬元。募集資金主要用于購置生產(chǎn)設備、廠房裝修、鋪底流動資金等。

5、項目選址情況

本項目在現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)建設，不需新增土地。建設地址位于張家港市鳳凰鎮(zhèn)港口工業(yè)園華泰路 1 號。

6、項目的環(huán)境保護情況

本項目在運營期間的性質(zhì)為辦公及研究，不存在具體生產(chǎn)環(huán)節(jié)，基本不涉及污染物。

7、項目實施進展

項目計劃實施 36 個月，實施階段包括土建施工與裝修、設備購置和安裝調(diào)試、員工招聘與培訓、產(chǎn)品研發(fā)升級。

8、經(jīng)濟收益分析

項目建成后，達產(chǎn)年將使公司的營業(yè)收入增加 31,104.00 萬元，當年凈利潤增加 6,523.58 萬元。

可行性研究報告依據(jù)國家部門及地方政府相關(guān)法律、法規(guī)、標準，本著客觀、求實、科學、公正的原則，在現(xiàn)有能夠掌握的資料和數(shù)據(jù)的基礎上，主要就項目建設背景、需求分析及必要性、可行性、建設規(guī)模及內(nèi)容、建設條件及方案、項目投資及資金來源、社會效益、經(jīng)濟效益以及項目建設的環(huán)境保護等方面逐一進行研究論證，以確定項目經(jīng)濟上的合理性、技術(shù)上的可行性，為項目投資主體和主管部門提供決策參考。