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NOR閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目可行性研究報告
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 恒爍    2024-06-24

1、項目基本情況

本項目將圍繞高容量、低功耗和高可靠性這一產(chǎn)品定位，采用業(yè)界主流ETOX 閃存工藝路線，著力研發(fā)基于下一代 50nm 和 40nm 技術(shù)工藝制程，容量覆蓋 256Mb～1Gb，具有高可靠性和高穩(wěn)定性的 NOR Flash 存儲芯片。新產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于 PC、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、消費電子、工業(yè)控制、5G 基站及汽車電子等領(lǐng)域。

本項目在公司現(xiàn)有經(jīng)營場所實施，不涉及新增土地和房產(chǎn)。

2、項目的可行性

（1）國家政策支持和保障

集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和 2035 年遠景目標綱要》提出，對事關(guān)國家安全和發(fā)展全局的基礎(chǔ)核心領(lǐng)域，制定實施戰(zhàn)略性科學計劃和科學工程。

瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領(lǐng)域，實施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項目；2020 年 8 月，國務(wù)院發(fā)布的《關(guān)于印發(fā)新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》提出了財稅、投融資、研究開發(fā)、進出口、人才、知識產(chǎn)權(quán)、市場應(yīng)用、國際合作等 8個方面的舉措，優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，深化產(chǎn)業(yè)國際合作，提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和發(fā)展質(zhì)量。國家對集成電路產(chǎn)業(yè)政策的大力支持，為本項目實施提供了政策保障。

（2）公司具備經(jīng)驗豐富的研發(fā)團隊和深厚的技術(shù)儲備

公司擁有一支高素質(zhì)的設(shè)計研發(fā)人才隊伍，實際控制人深耕集成電路行業(yè)多年，具有豐富的芯片設(shè)計和市場銷售經(jīng)驗，曾在 Spansion、英飛凌、TI、美光、NEC 等全球著名芯片及信息技術(shù)企業(yè)負責技術(shù)和管理工作。

公司自成立以來專注于存儲器芯片的研發(fā)設(shè)計，已實現(xiàn) 65nm 和 50nm NORFlash 產(chǎn)品的開發(fā)和量產(chǎn)。截至 2021 年 12 月 31 日，公司研發(fā)人員數(shù)量 67 人，研發(fā)人員占比 60.36%，研發(fā)人員均具有豐富的 NOR Flash 產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)驗。

經(jīng)過數(shù)年的自主研發(fā)積累，公司在 NOR Flash 產(chǎn)品的工藝制程、良率提升、核心算法和致密布局布線等方面積累了一批核心技術(shù)。公司擁有集成電路布圖 26 項，發(fā)明專利 19 項，實用新型專利 2 項，另有多項知識產(chǎn)權(quán)在申請中。公司優(yōu)秀的研發(fā)團隊和長期的技術(shù)積累為本項目順利研發(fā)提供了有力人才和技術(shù)保障。

（3）健全的產(chǎn)業(yè)化保障

公司 NOR Flash 產(chǎn)品在性能、功耗、讀寫次數(shù)、壽命、可靠性和穩(wěn)定性等指標方面均已達到行業(yè)主流技術(shù)水平，奠定了公司優(yōu)秀的品牌形象。

公司通過ISO9001 體系認證，與杰理科技、樂鑫科技、泰凌微電子、芯?？萍肌⒄子嵑氵_、翱捷科技、上海巨微及賽騰微等客戶建立了長期穩(wěn)定的合作關(guān)系，多款產(chǎn)品進入小米、360、OPPO、星網(wǎng)銳捷、新大陸、中興、聯(lián)想、奇瑞汽車、江鈴汽車及歐菲光等終端用戶供應(yīng)鏈體系，積累了優(yōu)質(zhì)的客戶資源和完善的市場渠道。

自 2015年成立以來至報告期末，公司 NOR Flash 芯片累計出貨達 33.55 億顆，近三年銷售收入復(fù)合增長率達 107.58%，產(chǎn)品銷售穩(wěn)定增長。

多年來，公司通過與武漢新芯和中芯國際等主要晶圓代工廠的持續(xù)合作，形成了長期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關(guān)系，有效保證了公司產(chǎn)能供應(yīng)。

公司在產(chǎn)業(yè)鏈上下游與客戶、供應(yīng)商建立的良好的合作關(guān)系，為本項目的順利實施提供了健全的產(chǎn)業(yè)化保障。

3、項目投資概算

本項目總投資為 20,318.00 萬元，投資研發(fā)的 NOR Flash 產(chǎn)品采用 50nm 及40nm 制程工藝，產(chǎn)品容量涵蓋 256Mb～1Gb，新產(chǎn)品可應(yīng)用于 PC、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能可穿戴設(shè)備、TWS 耳機、智能電表、5G 基站及汽車電子等領(lǐng)域。

4、項目備案情況

本項目已取得合肥市廬陽經(jīng)開區(qū)管理委員會備案，項目備案代碼：2108-340103-04-05-449555。

5、項目環(huán)境保護情況

本項目不涉及產(chǎn)生污染源，本項目的實施不會對環(huán)境造成污染。

6、項目建設(shè)周期

本項目建設(shè)期為 3 年。

此報告為公開摘錄部分，如需定制化政府立項、銀行貸款、投資決策等用途可研報告可咨詢思瀚。