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40納米邏輯芯片工藝平臺研發(fā)項目
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 2023-11-08

（1）項目基本情況

目前晶合集成正進行55nm技術(shù)平臺開發(fā)。未來，公司將以此技術(shù)為基礎(chǔ)，進行40納米邏輯芯片工藝平臺開發(fā)，重點開發(fā)方向為40nm標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程的低漏電（LL）器件平臺，其核心組件電壓為1.1V，涵蓋三種不同閾值電壓，以及2.5V的輸入/輸出組件電壓（超載3.3V，低載1.8V），并導(dǎo)入生產(chǎn)效率更高的多晶硅柵氮氧化硅絕緣層?xùn)艠O（Poly/SiON）工藝技術(shù)，開發(fā)超淺結(jié)退火以及應(yīng)力技術(shù)，大幅度降低晶格缺陷，提高生產(chǎn)良率以及運作效率，以滿足不同客戶的設(shè)計要求。

上述研發(fā)項目完成后，公司將具備生產(chǎn)40納米邏輯芯片的技術(shù)能力，終端應(yīng)用包括物聯(lián)網(wǎng)、無線邏輯傳輸?shù)取?

（2）項目投資概算

本項目將組建約150人的研發(fā)團隊，總投資為15.0億元，主要包括主機臺設(shè)備投資、測試軟硬件費用和人力費用。

（3）項目周期和時間進度

本項目預(yù)計于2022年第一季度開始實施，具體時間節(jié)點如下：

2022年第一季度：40 納米邏輯芯片工藝平臺項目啟動

2024年中：完成 40納米邏輯芯片工藝平臺開發(fā)

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