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存儲(chǔ)器產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)控制芯片的依賴性不斷加強(qiáng)
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 2023-12-15

存儲(chǔ)顆粒由于受器件特點(diǎn)等因素影響，可靠性隨著使用時(shí)間的增加而逐漸降低。存儲(chǔ)控制芯片作為存儲(chǔ)器產(chǎn)品不可或缺的組成部分，可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)顆粒的均衡使用、有效延長(zhǎng)存儲(chǔ)顆粒的使用壽命、提高存儲(chǔ)顆粒的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能。因此，存儲(chǔ)控制芯片公司與存儲(chǔ)顆粒廠、存儲(chǔ)模組廠的緊密合作可加快新型顆粒及新型存儲(chǔ)器產(chǎn)品的上市時(shí)間。

由于 NAND FLASH 工藝制程、堆疊層數(shù)和架構(gòu)快速升級(jí)，NAND FLASH技術(shù)難度越來(lái)越高，存儲(chǔ)密度不斷提高，使得存儲(chǔ)顆粒中的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤或數(shù)據(jù)丟失的概率顯著增加，使用壽命也快速下降。以架構(gòu)升級(jí)為例，按照每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)數(shù)位量不同可分為 SLC、MLC、TLC、QLC 等，TLC 架構(gòu)雖單元容量為 SLC架構(gòu)存儲(chǔ)顆粒的 3 倍，但其使用壽命（即可擦寫(xiě)次數(shù)）僅為 SLC 的 1/20，可靠性也同步降低，對(duì)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)要求（ECC）從 1~4bit 增加到 72bit。

NAND FLASH 的技術(shù)發(fā)展特點(diǎn)，決定了存儲(chǔ)顆粒在應(yīng)用時(shí)對(duì)存儲(chǔ)控制芯片的要求越來(lái)越高，依賴性也越來(lái)越強(qiáng)，對(duì)存儲(chǔ)控制技術(shù)和存儲(chǔ)控制芯片設(shè)計(jì)能力提出了更高的要求。

存儲(chǔ)顆粒廠需要與存儲(chǔ)控制芯片公司達(dá)成深度合作，邀請(qǐng)存儲(chǔ)控制芯片公司更早、更深入地參與對(duì)新型存儲(chǔ)顆粒的協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)制定、特性定義等環(huán)節(jié)中，探索相應(yīng)存儲(chǔ)控制技術(shù)和應(yīng)用落地的可行性、反饋樣品測(cè)試結(jié)果并提出分析和優(yōu)化建議，盡快研發(fā)形成與之配套的存儲(chǔ)控制芯片設(shè)計(jì)方案、固件算法、量產(chǎn)工具等，從而高效實(shí)現(xiàn)對(duì)新型存儲(chǔ)顆粒的商業(yè)化應(yīng)用。

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