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1、半導(dǎo)體存儲器介紹
集成電路是信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),被譽(yù)為“工業(yè)糧食”,應(yīng)用場景涉及計算機(jī)、家用電器、電氣、通信、交通、醫(yī)療、航空航天等領(lǐng)域,而半導(dǎo)體存儲器是集成電路的核心產(chǎn)品之一。半導(dǎo)體存儲器利用半導(dǎo)體介質(zhì)實(shí)現(xiàn)信息存儲,存儲與讀取過程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放。按照是否需要持續(xù)通電以維持?jǐn)?shù)據(jù),半導(dǎo)體存儲器可分為易失性存儲和非易失性存儲
(1)易失性存儲
易失性存儲主要指隨機(jī)存取存儲器(RAM)。RAM 需要維持通電以保存數(shù)據(jù)供主系統(tǒng) CPU 讀寫和處理。RAM 根據(jù)是否需要周期性刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)存儲,進(jìn)一步分為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器不需要周期刷新,而動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)需要周期性刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù),故稱“動態(tài)”存儲器。DRAM 作為一種高密度的易失性存儲器,主要用作 CPU 處理數(shù)據(jù)的臨時存儲裝置,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、個人電腦、服務(wù)器等市場。
(2)非易失性存儲
非易失性存儲是無需持續(xù)通電也能長久保存數(shù)據(jù)的存儲器,主要包括 NAND 和 NOR 閃存。NAND 閃存是使用電可擦技術(shù)的高密度非易失性存儲,是目前全球市場大容量非易失存儲的主流技術(shù)方案。NOR 閃存特點(diǎn)在于應(yīng)用程序可直接運(yùn)行其上,但寫入和擦除速度慢且成本相對較高的特點(diǎn)不適宜大容量存儲。
2、全球半導(dǎo)體存儲器市場概況
(1)全球半導(dǎo)體存儲器營收在波動中呈現(xiàn)總體增長趨勢
半導(dǎo)體存儲器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分,是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為廣泛的電子器件之一。隨著現(xiàn)代電子系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲需求以指數(shù)級增長,半導(dǎo)體存儲器出貨量也持續(xù)大幅增長。2021 年,全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模在 1,500 億美金附近,2022 年開始進(jìn)入行業(yè)下行周期,市場規(guī)模為 1,300億美元左右。
半導(dǎo)體存儲器市場由 DRAM 和 NAND 閃存占據(jù)主導(dǎo)地位,根據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)和 TrendForce 數(shù)據(jù),2022 年全球半導(dǎo)體存儲器市場中 DRAM 市場份額約 55%,NAND 閃存占比約 41%。全球半導(dǎo)體存儲器市場的總體規(guī)模在短期供需波動中總體保持著長期增長趨勢。
(2)DRAM 近年市場情況及趨勢預(yù)測
DRAM 的應(yīng)用領(lǐng)域主要是服務(wù)器、PC、移動設(shè)備和消費(fèi)電子。根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù),從 2022年 DRAM 應(yīng)用市場收入情況看,服務(wù)器占比 36%,移動設(shè)備占比 37.6%,PC 占比 12.8%,消費(fèi)電子占比 8.2%;未來預(yù)計隨新的應(yīng)用增長,以服務(wù)器和消費(fèi)電子(汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等)為代表的應(yīng)用市場占比將顯著增長。
根據(jù) Gartner 的數(shù)據(jù),2022 年 DRAM 市場規(guī)模整體約 791 億美元,2023 年 DRAM 全球營收預(yù)計約 477 億美元,2024 年開始明顯上升,到 2025 年將增長至約 1,148 億美元。
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