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先進(jìn)封裝工藝環(huán)節(jié)類似晶圓制造，是集成電路制造的重要發(fā)展方向
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院    2023-09-30

隨著電子產(chǎn)品進(jìn)一步朝向小型化與多功能的發(fā)展，集成電路尺寸越來越小、集成電路種類越來越多、線寬越來越細(xì)，接口密度不斷提升，先進(jìn)封裝技術(shù)成為未來集成電路制造的重要發(fā)展方向。先進(jìn)封裝技術(shù)通過優(yōu)化連接、在同一個(gè)封裝內(nèi)集成不同材料、線寬的半導(dǎo)體集成電路和器件等方式提升集成電路的連接密度和集成度。

根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù)，全球封裝市場規(guī)模穩(wěn)步增長，2021 年全球封裝市場規(guī)模約達(dá) 777 億美元。其中，先進(jìn)封裝全球市場規(guī)模約 350 億美元，占比約 45%，2025 年，先進(jìn)封裝在全部封裝市場的占比將增長至 49.4%。2019 年至 2025 年，相比同期全球整體封裝市場（年復(fù)合增長率約為 5%），全球先進(jìn)封裝市場的年復(fù)合增長率約為 8%，先進(jìn)封裝市場的增長更為顯著，將成為全球封裝市場的主要增量。

先進(jìn)封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步驟，具體包括應(yīng)用晶圓研磨薄化、線路重排（RDL）、凸塊制作（Bumping）及三維硅通孔（TSV）等工藝技術(shù)。上述先進(jìn)封裝工藝技術(shù)涉及與晶圓制造相似的光刻、顯影、刻蝕、剝離等工序步驟，從而使得晶圓制造與封測前后道制程中出現(xiàn)中道交叉區(qū)域。

目前，帶有倒裝芯片（FC）結(jié)構(gòu)的封裝、晶圓級封裝（WLP）、系統(tǒng)級封裝（SiP）、2.5D 封裝、3D 封裝等均被認(rèn)為屬于先進(jìn)封裝范疇，上述先進(jìn)封裝大量使用 RDL、Bumping、TSV 等工藝技術(shù)。以先進(jìn)封裝 Bumping 工藝為例，Bumping 凸塊替代傳統(tǒng)封裝中的金線鍵合，以微小的焊球或凸塊實(shí)現(xiàn)芯片與封裝載板的互聯(lián)。