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(1)光傳感應用領(lǐng)域的拓展,為光芯片帶來更多的市場需求
光芯片在消費電子市場的應用領(lǐng)域不斷拓展。目前,智能終端方面,已使用基于 3D VCSEL 激光器芯片的方案,實現(xiàn) 3D 信息傳感,如人臉識別。根據(jù)Yole 的研究報告,醫(yī)療市場方面,智能穿戴設備正在開發(fā)基于激光器芯片及硅光技術(shù)方案,實現(xiàn)健康醫(yī)療的實時監(jiān)測。
同時,隨著傳統(tǒng)乘用車的電動化、智能化發(fā)展,高級別的輔助駕駛技術(shù)逐步普及,核心傳感器件激光雷達的應用規(guī)模將會增大?;?strong>砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)的光芯片作為激光雷達的核心部件,其未來的市場需求將會不斷增加。思瀚發(fā)布《2023-2028年中國光芯片行業(yè)市場現(xiàn)狀及投資發(fā)展趨勢預測報告》
(2)下游模塊廠商布局硅光方案,大功率、小發(fā)散角、寬工作溫度 DFB激光器芯片將被廣泛應用
隨著電信骨干網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)中心流量快速增長,更高速率光模塊的市場需求不斷凸顯。傳統(tǒng)技術(shù)主要通過多通道方案實現(xiàn) 100G 以上光模塊速度的提升,然而隨著數(shù)據(jù)中心、核心骨干網(wǎng)等場景進入到 400G 及更高速率時代,單通道所需的激光器芯片速率要求將隨之提高。以 400G QSFP-DD DR4 硅光模塊為例,需要單通道激光器芯片速率達到 100G。在此背景下,利用 CMOS 工藝進行光器件開發(fā)和集成的新一代硅光技術(shù)成為一種趨勢。
硅光方案中,激光器芯片僅作為外置光源,硅基芯片承擔速率調(diào)制功能,因此需將激光器芯片發(fā)射的光源耦合至硅基材料中。憑借高度集成的制程優(yōu)勢,硅基材料能夠整合調(diào)制器和無源光路,從而實現(xiàn)調(diào)制功能與光路傳導功能的集成。例如 400G 光模塊中,硅光技術(shù)利用 70mW 大功率激光器芯片,將其發(fā)射的大功率光源分出 4 路光路,每一光路以硅基調(diào)制器與無源光路波導實現(xiàn)100G 的調(diào)制速率,即可實現(xiàn) 400G 傳輸速率。硅光方案使用的大功率激光器芯片,要求同時具備大功率、高耦合效率、寬工作溫度的性能指標,對激光器芯片要求更高。
(3)磷化銦(InP)集成光芯片方案是滿足下一代高性能網(wǎng)絡需求的重要發(fā)展方向
為滿足電信中長距離傳輸市場對光器件高速率、高性能的需求,現(xiàn)階段廣泛應用基于磷化銦(InP)集成技術(shù)的 EML激光器芯片。隨著光纖接入 PON市場逐步升級為 25G/50G-PON方案,基于激光器芯片、半導體光放大器(SOA)的磷化銦集成方案,如 DFB+SOA和 EML+SOA,將取代現(xiàn)有的分立 DFB激光器芯片方案,提供更高的傳輸速率和更大的輸出功率。
此外,下一代數(shù)據(jù)中心應用 400G/800G傳輸速率方案,傳統(tǒng) DFB激光器芯片短期內(nèi)無法同時滿足高帶寬性能、高良率的要求,需考慮采用 EML激光器芯片以實現(xiàn)單波長 100G的高速傳輸特性。
同時,隨著應用于數(shù)據(jù)中心間互聯(lián)的波分相干技術(shù)普及,基于磷化銦(InP)集成技術(shù)的光芯片由于具備緊湊小型化、高密集成等特點,可應用于雙密度四通道小型可插拔封裝 (QSFP-DD)等更小型端口光模塊,其應用規(guī)模將進一步的提升。
(4)中美貿(mào)易摩擦加快進口替代進程,給我國光芯片企業(yè)帶來增長機遇
近年來中美間頻繁產(chǎn)生貿(mào)易摩擦,美國對諸多商品征收關(guān)稅,并加大對部分中國企業(yè)的限制。由于高端光芯片技術(shù)門檻高,我國核心光芯片的國產(chǎn)化率較低,主要依靠進口。根據(jù)《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2018-2022年)》,10G 速率以下激光器芯片國產(chǎn)化率接近 80%,10G 速率激光器芯片國產(chǎn)化率接近 50%,但 25G 及以上高速率激光器芯片國產(chǎn)化率不高,國內(nèi)企業(yè)主要依賴于美日領(lǐng)先企業(yè)進口。
在中美貿(mào)易關(guān)系存在較大不確定的背景下,國內(nèi)企業(yè)開始測試并驗證國內(nèi)的光芯片產(chǎn)品,尋求國產(chǎn)化替代,將促進光芯片行業(yè)的自主化進程。
思瀚發(fā)布《2023-2028年中國光芯片行業(yè)市場現(xiàn)狀及投資發(fā)展趨勢預測報告》