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芯片高性能需求對 TGV(玻璃穿孔)等先進(jìn)封裝技術(shù)提出更高要求。傳統(tǒng)硅基轉(zhuǎn)接板 2.5D集成技術(shù)存在兩個主要問題:
1)成本高,硅通孔(TSV)制作采用硅刻蝕工藝,隨后硅通孔仍需要氧化絕緣層、薄晶圓的拿持等技術(shù);
2)電學(xué)性能差,硅材料屬于半導(dǎo)體材料,傳輸線在傳輸信號時,信號與襯底材料有較強(qiáng)的電磁耦合效應(yīng),襯底中產(chǎn)生渦流現(xiàn)象,造成信號完整性較差(插損、串?dāng)_等)。而玻璃基板作為有可能替代硅基轉(zhuǎn)接板的材料,玻璃通孔(TGV)技術(shù)是必備前提。
目前用于制造 TGV(玻璃通孔)的工藝主要有噴砂法、光敏玻璃法、等離子刻蝕法和激光誘導(dǎo)刻蝕法等。其中激光誘導(dǎo)刻蝕法具有成孔效率快、可制作高密度、高深寬比的玻璃通孔、玻璃通孔無損傷等優(yōu)點(diǎn),在皮秒、飛秒等超快激光器技術(shù)進(jìn)一步成熟、成本下降趨勢下已成為主流的 TGV 制造工藝。
激光誘導(dǎo)刻蝕法的基本原理是:通過脈沖激光誘導(dǎo)玻璃產(chǎn)生連續(xù)的變性區(qū),相比未變性區(qū)域的玻璃,變性玻璃在氫氟酸中刻蝕速率較快,基于這一現(xiàn)象來制作通孔。該技術(shù)由德國 LPKF公司率先推廣,并主要分為兩步:
1)使用皮秒激光在玻璃上產(chǎn)生變性區(qū)域;
2)將激光處理過的玻璃放到氫氟酸溶液中進(jìn)行刻蝕。此外國內(nèi)大族激光、云天半導(dǎo)體、帝爾激光和德龍激光等公司也已具備類似技術(shù),并已推出相關(guān) TGV 鉆孔設(shè)備。
在制作 TGV 玻璃通孔后還需實(shí)施填孔方案。首先通過物理氣相沉積(PVD)的方法在 TGV盲孔內(nèi)部沉積種子層;再自底向上電鍍,實(shí)現(xiàn) TGV 的無縫填充;最后,通過臨時鍵合,背面研磨、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)露銅,解鍵合,形成 TGV 金屬填實(shí)轉(zhuǎn)接板。
TGV 填孔方案的工藝流程,包括:玻璃盲孔制備,TGV 銅填實(shí),銅覆蓋層去除過程,頂部重布線層(RDL)(TR1)過程,臨時鍵合,研磨減薄露銅,底部 RDL(BR1)制備,解鍵合等工藝過程。
資料來源:《玻璃通孔技術(shù)研究進(jìn)展》,源達(dá)信息證券研究所
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