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成都高新西區(qū)-高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目可行性研究報(bào)告
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院    2022-08-16

1、項(xiàng)目基本情況

（1）項(xiàng)目概況

高新發(fā)展募集資金 51,100.00萬元投資成都高新西區(qū)高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，進(jìn)一步向功率半導(dǎo)體的核心工藝平臺(tái)及特色封裝線延伸、提高公司核心競爭力。

半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展程度是國家科技實(shí)力的重要體現(xiàn)，是信息化社會(huì)的支柱產(chǎn)業(yè)之一，更對(duì)國家安全有著舉足輕重的戰(zhàn)略意義。近年來，國家各部門持續(xù)出臺(tái)了一系列優(yōu)惠政策來鼓勵(lì)和支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。受益于下游應(yīng)用市場的拓展，新能源發(fā)電、新能源汽車等新應(yīng)用領(lǐng)域的高速增長，疊加國產(chǎn)替代率的逐步上升，功率半導(dǎo)體行業(yè)空間快速增長。

公司子公司成都森未科技有限公司（以下簡稱“森未科技”）專注于 IGBT等功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售。森未科技目前生產(chǎn)主要為 Fabless模式（無晶圓廠設(shè)計(jì)公司模式），晶圓制造及封裝采用委外加工模式。針對(duì)不同應(yīng)用需求，IGBT通常需要進(jìn)行差異化的設(shè)計(jì)，并結(jié)合晶圓制造和封裝制造的特點(diǎn)進(jìn)行調(diào)整。由于代工廠的生產(chǎn)和工藝平臺(tái)相對(duì)固化，設(shè)計(jì)企業(yè)的產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)程會(huì)因此受到制約。

尤其在 2021年全球“缺芯”的大背景下，代工廠資源進(jìn)一步緊張，針對(duì)新能源等新興市場的產(chǎn)品開發(fā)和供應(yīng)進(jìn)程明顯滯后于市場的需求。為實(shí)現(xiàn)長足發(fā)展，公司擬投資建設(shè)核心工藝平臺(tái)及特色封裝線，同時(shí)晶圓正面加工及部分通用封裝采用委外加工。屆時(shí)，森未科技在芯片研制、封裝及測試環(huán)節(jié)采用自主特色加工和委外標(biāo)準(zhǔn)加工相結(jié)合的方式，即 Fab-Lite模式。該模式能夠兼顧生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量，提高產(chǎn)品迭代速度，以相對(duì)較低的投資規(guī)模提升生產(chǎn)效率及產(chǎn)品競爭力。因此，公司控股子公司成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯未半導(dǎo)體”）作為公司打造 Fab-lite模式的重要載體，擬投資建設(shè)成都高新西區(qū)高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

（3）項(xiàng)目實(shí)施主體及實(shí)施地點(diǎn)

本項(xiàng)目由芯未半導(dǎo)體實(shí)施。項(xiàng)目建設(shè)地址在成都高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)西部園區(qū)德富大道以東、安泰六路以西、康強(qiáng)三路以南、康強(qiáng)二路以北地塊內(nèi)。芯未半導(dǎo)體已就項(xiàng)目用地取得《不動(dòng)產(chǎn)權(quán)證書》（證書編號(hào)：川（2022）成都市不動(dòng)產(chǎn)權(quán)第 0210574號(hào)），證書顯示，權(quán)利人為成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司，坐落高新區(qū)西園街道展望村 1、2組，面積為 20,000.07平方米，權(quán)利性質(zhì)為出讓，用途為工業(yè)用地（標(biāo)準(zhǔn)地）。

（4）項(xiàng)目投資概況及經(jīng)濟(jì)效益測算

成都高新西區(qū)高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期計(jì)劃建設(shè)周期為 2年，投資額為 56,568.00萬元，擬使用募集資金金額為 51,100.00萬元（含）。

經(jīng)測算，成都高新西區(qū)高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期內(nèi)部收益率（稅后）為 10.13%，投資回收期（稅后）為 8.43年。

（5）項(xiàng)目備案與環(huán)境保護(hù)評(píng)估情況

本項(xiàng)目已取得成都高新區(qū)發(fā)展改革和規(guī)劃管理局出具的《四川省固定資產(chǎn)投資項(xiàng)目備案表》（備案號(hào)：川投資備【2204-510109-04-01-642804】FGQB-0249號(hào)），已取得成都高新區(qū)生態(tài)環(huán)境和城市管理局出具的《關(guān)于成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司成都高新西區(qū)高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目<環(huán)境影響報(bào)告表>的批復(fù)》（成高環(huán)諾審[2022]51號(hào)）。

2、項(xiàng)目建設(shè)的必要性

（1）推動(dòng)公司業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型，促進(jìn)上市公司高質(zhì)量發(fā)展

公司建筑施工業(yè)務(wù)相對(duì)傳統(tǒng)，利潤率難以有大的突破，在行業(yè)中不易形成突出的核心競爭力，呈現(xiàn)收入規(guī)模較大、利潤貢獻(xiàn)較低的局面；智慧城市業(yè)務(wù)是公司近兩年集中力量打造的新主業(yè)，但目前處于產(chǎn)業(yè)鏈中下游的場景建設(shè)運(yùn)營，規(guī)模較小，暫時(shí)未形成產(chǎn)品核心能力，市場影響力以及對(duì)公司的盈利貢獻(xiàn)有限。

為打造有突出盈利能力和發(fā)展前景的新主業(yè)，公司收購在 IGBT領(lǐng)域具備較強(qiáng)技術(shù)實(shí)力的森未科技，將功率半導(dǎo)體作為公司戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的突破口。為加快業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型，抓住市場機(jī)遇，公司擬實(shí)施本次發(fā)行，募集資金投入功率半導(dǎo)體產(chǎn)線建設(shè)，以推動(dòng)公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)快速、高質(zhì)量發(fā)展，進(jìn)而促進(jìn)公司發(fā)展為具有高技術(shù)門檻、高盈利水平、高資產(chǎn)質(zhì)量特征的企業(yè)，提升公司股東價(jià)值。

（2）把握功率半導(dǎo)體市場發(fā)展機(jī)遇，加快推進(jìn)公司戰(zhàn)略布局

功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電子器件中，是電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。近年來，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。得益于下游應(yīng)用市場的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體具備廣闊的市場空間。根據(jù) Omdia的統(tǒng)計(jì)，2021年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約為 462億美元，作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國，2021年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到 182億美元。作為功率半導(dǎo)體的代表性產(chǎn)品，IGBT近年來市場規(guī)模持續(xù)保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，我國 IGBT市場規(guī)模 2014年為 79.8億元，2021年為 224.6億元，復(fù)合年均增長率達(dá) 15.93%。

IGBT全球市場供給格局較為集中，前十大供應(yīng)商市場份額達(dá)到 82.6%。國內(nèi)供應(yīng)商中，當(dāng)前只有士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)和華微電子在個(gè)別細(xì)分品類中擠入前十。

國內(nèi)市場也基本被德系企業(yè)英飛凌、日系企業(yè)三菱、富士等國外企業(yè)壟斷。同時(shí)，國內(nèi) IGBT市場目前仍存在很大的需求缺口，2021年國產(chǎn) IGBT2,580萬只，需求量達(dá)到 13,200萬只，IGBT國產(chǎn)替代空間巨大。受益于國家政策的大力支持，IGBT國產(chǎn)替代步伐正不斷加快。

IGBT等功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的快速增長和國產(chǎn)替代步伐的不斷加快為公司提供了良好的發(fā)展機(jī)遇。因此，成都高新西區(qū)高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目具有廣闊的市場前景。本項(xiàng)目的實(shí)施有利于公司把握行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵機(jī)遇，加速推動(dòng)公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展戰(zhàn)略的實(shí)施。

（3）順應(yīng)行業(yè)發(fā)展趨勢，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵制造環(huán)節(jié)自主可控，提升抗風(fēng)險(xiǎn)能力

功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)存在 IDM與垂直分工兩種主要的經(jīng)營模式，近年來，又出現(xiàn)了由 IDM模式演變而來的 Fab-Lite模式。IDM模式（Integrated Device Manufacture）是指包含芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試在內(nèi)全部或主要業(yè)務(wù)環(huán)節(jié)的經(jīng)營模式。垂直分工即 Fabless經(jīng)營模式是多年來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工不斷細(xì)化產(chǎn)生的另外一種商業(yè)模式，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上下游分別形成了無晶圓廠設(shè)計(jì)公司、晶圓代工廠及封裝測試三大類企業(yè)。

Fab-Lite模式，是介于 Fabless模式與IDM模式之間的經(jīng)營模式，即在芯片研制、封裝及測試環(huán)節(jié)采用自主特色加工和委外標(biāo)準(zhǔn)加工相結(jié)合的方式，能夠?yàn)樾枰雽?dǎo)體制造但面臨產(chǎn)能限制的企業(yè)提供低成本解決方案。IDM模式研發(fā)效率高，但轉(zhuǎn)線靈活度差，對(duì)企業(yè)技術(shù)、資金和市場份額要求較高。垂直分工模式靈活但研發(fā)效率低，且對(duì)設(shè)計(jì)公司的產(chǎn)能制約明顯。Fab-Lite模式能夠結(jié)合二者優(yōu)勢，兼顧生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量。

與工藝成熟、供應(yīng)資源豐富的正面加工不同，晶圓背面加工需具備豐富的經(jīng)驗(yàn)積累，使之成為 IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上極為關(guān)鍵的一環(huán)。公司擬通過建設(shè)核心工藝平臺(tái)及特色封裝線，在芯片研制、封裝及測試的關(guān)鍵環(huán)節(jié)產(chǎn)能自足，同時(shí)晶圓正面加工及部分通用封裝采用委外加工，這種自行建廠和委外加工相結(jié)合的 Fab-Lite模式順應(yīng)行業(yè)發(fā)展趨勢，能夠以相對(duì)較低的投資規(guī)模提升生產(chǎn)效率及產(chǎn)品競爭力。

同時(shí)，公司通過投資建設(shè)成都高新西區(qū)高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目可以提升功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)規(guī)模及抗風(fēng)險(xiǎn)能力，提高客戶認(rèn)可度，增強(qiáng)市場競爭力。

綜上，功率半導(dǎo)體市場規(guī)?？焖僭鲩L，國產(chǎn)替代步伐不斷加快，構(gòu)建 Fab-Lite模式順應(yīng)行業(yè)發(fā)展趨勢，公司通過投資建設(shè)成都高新西區(qū)高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，能夠參與并分享相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的紅利，促進(jìn)公司高質(zhì)量發(fā)展。

3、項(xiàng)目建設(shè)的可行性

（1）國家產(chǎn)業(yè)支持政策為項(xiàng)目實(shí)施提供了良好的政策環(huán)境

半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展程度是國家科技實(shí)力的重要體現(xiàn)，是信息化社會(huì)的支柱產(chǎn)業(yè)之一，更對(duì)國家安全有著舉足輕重的戰(zhàn)略意義。近年來，國家各部門持續(xù)出臺(tái)了一系列優(yōu)惠政策來鼓勵(lì)和支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2021年 1月，工信部印發(fā)《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2021-2023年）》，明確提出，將實(shí)施重點(diǎn)產(chǎn)品高端提升行動(dòng)，重點(diǎn)發(fā)展耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠半導(dǎo)體分立器件及模塊等電路類元器件；實(shí)施重點(diǎn)市場應(yīng)用推廣行動(dòng)，推動(dòng)功率器件等高可靠電子元器件在高端裝備制造市場的應(yīng)用，加速元器件產(chǎn)品迭代升級(jí)。2021年 3月《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和 2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》提出，十四五規(guī)劃立足國內(nèi)大循環(huán)，打好關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅(jiān)戰(zhàn)，提高創(chuàng)新鏈整體效能，聚焦核心芯片、半導(dǎo)體設(shè)備、第三代半導(dǎo)體等方面，推動(dòng)制造業(yè)優(yōu)化升級(jí)。

此外，《中華人民共和國國家安全法》明確指出“國家加強(qiáng)自主創(chuàng)新能力建設(shè)，加快發(fā)展自主可控的戰(zhàn)略高新技術(shù)和重要領(lǐng)域核心關(guān)鍵技術(shù)，加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的運(yùn)用、保護(hù)和科技保密能力建設(shè)，保障重大技術(shù)和工程的安全”。IGBT是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，既屬于戰(zhàn)略高新技術(shù)又屬于核心關(guān)鍵技術(shù)，得到“進(jìn)口替代”政策支持。國家政策的大力支持給功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了良好的政策保障。

（2）下游市場空間廣闊

功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用十分廣泛，幾乎應(yīng)用于所有的電子制造行業(yè)，傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備等產(chǎn)業(yè)。隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展及技術(shù)工藝的不斷進(jìn)步，以及新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、新能源發(fā)電、軌道交通等新興應(yīng)用領(lǐng)域逐漸成為功率半導(dǎo)體的重要應(yīng)用市場。受益于下游應(yīng)用市場的拓展，新能源發(fā)電、新能源汽車等新應(yīng)用領(lǐng)域的高速增長，疊加國產(chǎn)替代率的逐步上升，功率半導(dǎo)體行業(yè)空間快速增長。作為功率半導(dǎo)體的代表性產(chǎn)品，據(jù)測算，IGBT在中國的市場空間有望在 2025年達(dá)到 591億元，其中，新能源汽車、風(fēng)光儲(chǔ)、工控、家電、軌交電網(wǎng)五大場景市場空間有望分別達(dá)到 231億元、183億元、85億元、69億元和 11億元。下游產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展將為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來巨大的發(fā)展動(dòng)力。

（3）公司具備了項(xiàng)目實(shí)施的人才、技術(shù)、市場等必要條件

公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)深耕IGBT芯片技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化近十年，具備豐富的一線工藝實(shí)操經(jīng)驗(yàn)，對(duì) IGBT產(chǎn)業(yè)各個(gè)環(huán)節(jié)——從芯片設(shè)計(jì)能力到應(yīng)用場景，都有深刻的理解。核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)由清華大學(xué)和中國科學(xué)院的博士組成，在功率半導(dǎo)體專業(yè)領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)累積均超過 15年。通過不斷的外部招聘和內(nèi)部培養(yǎng)，公司已初步形成一支在功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)就管理、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等各環(huán)節(jié)擁有專業(yè)水平和實(shí)踐能力的高素質(zhì)員工團(tuán)隊(duì)，能夠?yàn)槟纪俄?xiàng)目的順利實(shí)施提供保障。

功率半導(dǎo)體器件局域工藝線注重超薄晶圓和高能注入等特色工藝研發(fā)攻關(guān)，是 IGBT產(chǎn)品核心競爭力的重要工藝支撐。公司子公司森未科技經(jīng)過多年的技術(shù)累計(jì)，已充分掌握上述超薄晶圓和高能注入等特色工藝所需的核心技術(shù)。

在功率半導(dǎo)體廣闊的市場空間及明確的國產(chǎn)替代趨勢下，公司與主要客戶建立起穩(wěn)定的合作關(guān)系，目前整體銷售狀態(tài)較好，訂單持續(xù)增加，也在同步拓展新的銷售渠道和重點(diǎn)客戶，具備充足的市場保障。

此外，核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)在功率半導(dǎo)體專業(yè)領(lǐng)域深耕多年，與關(guān)鍵設(shè)備廠商建立了良好的合作關(guān)系，為下一步采購關(guān)鍵設(shè)備建立了暢通的渠道。

綜上，成都高新西區(qū)高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目符合國家產(chǎn)業(yè)政策支持方向，下游市場空間巨大，公司具備實(shí)施本項(xiàng)目相關(guān)的人才、技術(shù)、市場等儲(chǔ)備，本項(xiàng)目具有可行性。

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