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系統(tǒng)級(jí)封裝可以把多枚功能不同的晶粒（Die，如運(yùn)算器、傳感器、存儲(chǔ)器）、不同功能的電子元器件（如電阻、電容、電感、濾波器、天線）甚至微機(jī)電系統(tǒng)、光學(xué)器件混合搭載于同一封裝體內(nèi)，系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品靈活度大，研發(fā)成本和周期遠(yuǎn)低于復(fù)雜程度相同的單芯片系統(tǒng)（SoC）。

以 2015 年美國(guó)知名企業(yè)推出的可穿戴智能手表為例，其采用了日月光的系統(tǒng)級(jí)封裝，將AP處理器、SRAM內(nèi)存、NAND閃存、各種傳感器、通訊芯片、功耗管理芯片以及其他被動(dòng)電子元器件均集成在一塊封裝體內(nèi)。

通過(guò)系統(tǒng)級(jí)封裝形式，此可穿戴智能產(chǎn)品在成功實(shí)現(xiàn)多種功能的同時(shí)，還滿足了終端產(chǎn)品低功耗、輕薄短小的需求。

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Yole 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2019 年全球系統(tǒng)級(jí)封裝規(guī)模為 134 億美元，占全球整個(gè)封測(cè)市場(chǎng)的份額為23.76%，并預(yù)測(cè)到2025年全球系統(tǒng)級(jí)封裝規(guī)模將達(dá)到 188 億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為 5.81%。

在系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)中，倒裝/焊線類系統(tǒng)級(jí)封裝占比最高，2019 年倒裝/焊線類系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模為 122.39 億美元，占整個(gè)系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)的91.05%。根據(jù) Yole 預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，2025 年倒裝/焊線類系統(tǒng)級(jí)封裝仍是系統(tǒng)級(jí)封裝主流產(chǎn)品，市場(chǎng)規(guī)模將增至 171.77億美元。

現(xiàn)階段，以智能手機(jī)為代表的移動(dòng)消費(fèi)電子領(lǐng)域是系統(tǒng)級(jí)封裝最大的下游應(yīng)用市場(chǎng)，占了系統(tǒng)級(jí)封裝下游應(yīng)用的 70%。根據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，未來(lái) 5 年，系統(tǒng)級(jí)封裝增長(zhǎng)最快的應(yīng)用市場(chǎng)將是可穿戴設(shè)備、Wi-Fi 路由器、IoT 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)施以及電信基礎(chǔ)設(shè)施。尤其隨著 5G 通訊的推廣和普及，5G 基站對(duì)倒裝球柵陣列（FC-BGA）系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的需求將大幅上升，未來(lái) 5年基站類系統(tǒng)級(jí)芯片市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)高達(dá) 41%。

甬矽電子目前已熟練掌握芯片倒裝技術(shù)（Flip-Chip）和多種系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)（SiP），并實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。甬矽電子系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品種類包括焊線類系統(tǒng)級(jí)封裝、倒裝類系統(tǒng)級(jí)封裝、混裝類系統(tǒng)級(jí)封裝、堆疊類系統(tǒng)級(jí)封裝等多數(shù)主流系統(tǒng)級(jí)封裝形式，公司系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品在單一封裝體中可同時(shí)封裝 7 顆晶粒（包含5顆倒裝晶粒、2顆焊線晶粒）、24顆以上 SMT元器件（電容、電阻、電感、天線等）。

2020年，甬矽電子系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品收入為 33,986.21萬(wàn)元，占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的 45.93%；2021 年，甬矽電子系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品收入為 113,522.65 萬(wàn)元，占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的 55.62%，處于國(guó)內(nèi)封測(cè)行業(yè)先進(jìn)水平。

4、高密度細(xì)間距凸點(diǎn)倒裝產(chǎn)品（FC）類產(chǎn)品在移動(dòng)和消費(fèi)市場(chǎng)發(fā)展空間較大

所謂“倒裝”是相對(duì)于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding，WB）而言的。傳統(tǒng) WB 工藝，芯片通過(guò)金屬線鍵合與基板連接，電氣面朝上；倒裝芯片工藝是指在芯片的 I/O 焊盤(pán)上直接沉積，或通過(guò) RDL 布線后沉積凸點(diǎn)（Bumping），然后將芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合，芯片電氣面朝下。

與 WB 相比，F(xiàn)C 封裝技術(shù)的 I/O 數(shù)多；互連長(zhǎng)度縮短，電性能得到改善；散熱性好，芯片溫度更低；封裝尺寸與重量也有所減少。與應(yīng)用FC 技術(shù)的 SiP 芯片不同，F(xiàn)C 芯片的沉積凸點(diǎn)（Bumping）更多，密度更大，大大減小了對(duì)面積的浪費(fèi)。相比應(yīng)用 FC 技術(shù)的 SiP 芯片來(lái)說(shuō)，F(xiàn)C 芯片有著諸多的優(yōu)勢(shì)，比如更小的封裝尺寸與更快的器件速度。

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2020 年至 2026 年，先進(jìn)封裝收入預(yù)計(jì)將以 7.9%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。到 2026年，F(xiàn)C-CSP（倒裝芯片級(jí)尺寸封裝）細(xì)分市場(chǎng)將達(dá)到 100億美元以上。這些封裝解決方案主要用于基帶、射頻收發(fā)器、存儲(chǔ)器和一些PMIC應(yīng)用。按收入細(xì)分，移動(dòng)和消費(fèi)市場(chǎng)占 2019 年先進(jìn)封裝總收入的 85%，Yole 預(yù)計(jì)到 2025年復(fù)合年增長(zhǎng)率為 5.5%，占先進(jìn)封裝總收入的 80%。而 FC-CSP封裝在移動(dòng)和消費(fèi)市場(chǎng)中占有一席之地，主要用于 PC、服務(wù)器和汽車(chē)應(yīng)用中使用的智能手機(jī) APU、RF 組件和 DRAM 設(shè)備。

5、扁平無(wú)引腳封裝產(chǎn)品（QFN/DFN）產(chǎn)品仍擁有較大容量的市場(chǎng)規(guī)模

QFN/DFN 封裝形式雖屬于中端封裝類型，但市場(chǎng)容量較大，短期內(nèi)被替代的可能性較低。QFN/DFN 類產(chǎn)品有以下優(yōu)點(diǎn)：

（1）物理層面：體積小、重量輕、效率高。

以輸入輸出（I/O）腳數(shù)為 24腳舉例，將低端的 DIP（Dual inline package）和 SOP（Small outline package）與中端的 QFN 做個(gè)粗略的對(duì)比。

從封裝效率（芯片面積與封裝面積之比值趨向1為高效率）看，低端的DIP封裝效率只有 0.05-0.1 非常低，SOP 封裝效率為 0.1-0.2，而中端的 QFN 封裝效率可以做到 0.3-0.4，無(wú)散熱焊盤(pán)的 QFN 甚至可以做到 0.5，間接說(shuō)明 QFN 封裝相比傳統(tǒng)封裝具有更高的封裝效率。

（2）品質(zhì)層面：散熱性能強(qiáng)、電性能好、可靠性強(qiáng)。

QFN 封裝的底部中央位置通常有一個(gè)大面積裸露焊盤(pán)用來(lái)導(dǎo)熱，這個(gè)焊盤(pán)可做直接散熱通道，用于傳導(dǎo)封裝體內(nèi)芯片工作產(chǎn)生的熱量；焊盤(pán)經(jīng)過(guò)表面貼裝后直接焊接在電路板（PCB）上，PCB 散熱孔可以把多余的功耗擴(kuò)散到銅接地板中吸收多余的熱量，極大提升了芯片的散熱性。

QFN 封裝不同于具有鷗翼狀引腳的傳統(tǒng)DIP或 SOP封裝，QFN封裝經(jīng)過(guò)表面貼裝后管腳與 PCB焊盤(pán)之間的導(dǎo)電路徑短，自感系數(shù)和封裝體內(nèi)的布線電阻很低，所以它也可以提供良好的電性能。QFN 封裝使用的載體多為平面設(shè)計(jì)金屬框架，采用精準(zhǔn)可控的蝕刻方式生產(chǎn)制造，因此具有框架表面處理方式多樣化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)多樣化的特點(diǎn)，且搭配屬性相吻合的塑封材料，可以改進(jìn)、增強(qiáng)封裝體內(nèi)部各界層的結(jié)合力，阻止外部濕氣進(jìn)入產(chǎn)品內(nèi)部造成芯片失效，增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性；且 QFN 封裝本身采用的就是金屬載體不存在類似基板封裝有吸收水汽的風(fēng)險(xiǎn)，因此 QFN 封裝較傳統(tǒng)的 DIP、SOP 甚至 BGA、LGA封裝都可以具有更好的可靠性表現(xiàn)。

（3）具備更高的性價(jià)比

如果單純比較價(jià)格，QFN相對(duì)于傳統(tǒng)的DIP/SOP封裝更高，但低于BGA類封裝；從性價(jià)比角度，QFN 具備更高的性價(jià)比。在低端性能芯片的紅海市場(chǎng)，由于成本壓力過(guò)大設(shè)計(jì)公司還會(huì)選擇傳統(tǒng)的 DIP、SOP 封裝；但是在中端性能芯片的市場(chǎng)上，設(shè)計(jì)公司則往往會(huì)選擇可造性強(qiáng)、成本合適的 QFN 封裝，更高端性能的芯片維持 BGA或 CSP封裝。從實(shí)際案例來(lái)看，大型芯片設(shè)計(jì)公司在市場(chǎng)推廣的時(shí)候往往會(huì) QFN 和 BGA 兩套封裝方案同時(shí)推出（在芯片可使用 QFN和 BGA兩種封裝條件下），而 QFN價(jià)格比 BGA更低。

QFN封裝目前覆蓋的芯片制造工藝范圍非常廣，28nm工藝制造的芯片也有成功的大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)， QFN 封裝是一種極具適用能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高性價(jià)比的封裝形式，在短期內(nèi)出現(xiàn)替代封裝的可能性不高。此外，QFN 封裝也在向大尺寸、模組化進(jìn)行發(fā)展。結(jié)合 QFN的優(yōu)點(diǎn)，整體而言，QFN在中端、中高端芯片領(lǐng)域具備更廣泛應(yīng)用的能力。

6、微機(jī)電系統(tǒng)傳感器（MEMS）

微機(jī)電系統(tǒng)在近些年應(yīng)用越來(lái)越廣泛，隨著傳感器、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的大規(guī)模落地，MEMS 封裝也備受關(guān)注。

目前 MEMS 封裝市場(chǎng)規(guī)模在 27 億美元左右，2016~2022 年間將會(huì)維持 16.7%的年復(fù)合增長(zhǎng)率高速增長(zhǎng)。其中 RF MEMS 封裝市場(chǎng)是主要驅(qū)動(dòng)，2016~2022 年間，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá) 35.1%。