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超薄芯片背道工藝開(kāi)放式代工的經(jīng)營(yíng)模式
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院    2022-07-27

目前無(wú)論國(guó)際企業(yè)還是國(guó)內(nèi)企業(yè)，對(duì)于先進(jìn)功率器件的背面工藝，主要采用IDM模式在自有芯片產(chǎn)線(xiàn)上建設(shè)，不過(guò)其內(nèi)部也存在以下情況：

MOSFET領(lǐng)域的國(guó)際知名企業(yè)A公司，其8英寸芯片的加工采用代工方式，而其器件核心的背道工藝，則在上海單獨(dú)建立了薄片/超薄片的背道加工產(chǎn)線(xiàn)，滿(mǎn)足自有產(chǎn)品的需求。國(guó)內(nèi)某知名功率半導(dǎo)體企業(yè)，其晶圓加工產(chǎn)線(xiàn)兩條6英寸線(xiàn)和一條8英寸線(xiàn)，三條產(chǎn)線(xiàn)均是按照正面工藝分別加工，而6英寸、8英寸晶圓片的各類(lèi)型背道工藝則有專(zhuān)門(mén)的工廠(chǎng)來(lái)實(shí)施。

對(duì)于先進(jìn)功率器件，目前市場(chǎng)的主要份額還是被國(guó)際大公司所占有，國(guó)內(nèi)的華虹NEC、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微等近幾年通過(guò)技術(shù)發(fā)展逐步進(jìn)入，其中，只有華虹NEC、華潤(rùn)微電子（小部分）有相關(guān)“正面 + 背道”工藝的加工，能夠以開(kāi)放式代工面向市場(chǎng)釋放應(yīng)用。在這一領(lǐng)域，包括工業(yè)級(jí)/能源級(jí)/汽車(chē)級(jí)所使用的MOSFET、IGBT、SiC等器件，國(guó)內(nèi)很多器件設(shè)計(jì)公司均在嘗試涉足，但由于芯片加工條件所限，尤其是超薄芯片背道加工產(chǎn)能和技術(shù)所限，相關(guān)設(shè)計(jì)和工藝提升的進(jìn)程一直進(jìn)展緩慢。

在功率器件，尤其是先進(jìn)功率器件的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程中，器件設(shè)計(jì)公司是創(chuàng)新最活躍的源頭，也是功率器件依靠應(yīng)用牽引進(jìn)一步提升技術(shù)的核心力量之一。先進(jìn)功率器件的工藝一直在不斷創(chuàng)新發(fā)展中，其工藝技術(shù)與產(chǎn)品設(shè)計(jì)的結(jié)合具有一定的特異性，相對(duì)于較為標(biāo)準(zhǔn)和平臺(tái)化的正面工藝，特別是基于背道工藝方面的創(chuàng)新發(fā)展，各家公司都將有自己獨(dú)特的技術(shù)線(xiàn)路與工藝方式，這個(gè)方面也將形成設(shè)計(jì)公司的技術(shù)Know How，因此，需要有定制化的超薄芯片背道工藝產(chǎn)線(xiàn)條件來(lái)為設(shè)計(jì)公司提供研發(fā)中試和量產(chǎn)的基礎(chǔ)條件。

先進(jìn)功率器件正面工藝的代工需求，一方面，依靠專(zhuān)業(yè)的功率器件芯片代工廠(chǎng)來(lái)滿(mǎn)足，但這部分現(xiàn)有產(chǎn)能資源很有限；另一方面，可以在MOS工藝集成電路代工線(xiàn)上實(shí)現(xiàn)，這方面的產(chǎn)能資源較為豐富，包括但不限于中芯國(guó)際、臺(tái)積電、聯(lián)電（和艦）、廈門(mén)聯(lián)芯、韓國(guó)東部以及其它Foundry代工廠(chǎng)。

而先進(jìn)功率器件的超薄芯片背面工藝加工就存在很大局限性，即便是開(kāi)放式的功率器件代工廠(chǎng)，作為標(biāo)準(zhǔn)芯片代工產(chǎn)線(xiàn)，一方面，通常是以歸一化的有限工藝平臺(tái)來(lái)提供服務(wù)，這方面對(duì)需要?jiǎng)?chuàng)新研發(fā)或特色化的先進(jìn)功率器件工藝帶來(lái)極大的限制；另一方面，無(wú)論是華虹NEC還是華潤(rùn)微電子，其代工線(xiàn)是同時(shí)面向功率器件與MOS集成電路，基于功率器件的背道工藝產(chǎn)能具有較大局限性。

因此，對(duì)于具有持續(xù)產(chǎn)品創(chuàng)新需求的先進(jìn)功率器件設(shè)計(jì)與應(yīng)用的企業(yè)，迫切需要可為其提供定制化開(kāi)放代工的超薄芯片背道加工產(chǎn)線(xiàn)及產(chǎn)能。