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SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目可行性研究報告
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院    2022-10-15

1、項目符合國家集成電路、地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和產(chǎn)業(yè)政策

本項目屬于《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導目錄（2019年本）》（國家發(fā)展改革委2019年第29號令）第一類“鼓勵類”項目。2020年7月27日，國務(wù)院發(fā)布了《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》（國發(fā)〔2020〕8號），該文件首次將“集成電路產(chǎn)業(yè)”放在首位，充分說明了國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的重視程度。

2020年11月，《關(guān)于制定國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標的建議》提出，瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領(lǐng)域，實施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項目。該文件將化合物半

導體歸類為化合物集成電路。2021年6月，國家發(fā)改委等部委聯(lián)合審核通過廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（以下簡稱“士蘭明鎵”）“集成電路線寬小于0.5微米（含）的化合物集成電路生產(chǎn)企業(yè)”認定，2022年再次通過認定。

本項目建設(shè)地點位于福建省廈門市海滄區(qū)，該項目高度契合福建省和廈門市的產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和產(chǎn)業(yè)政策，因此項目落地和推進獲得地方政府大力支持。本項目的建設(shè)與我國產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導目錄等政策文件所制定的目標相一致，與地方政府政策一致，符合我國和地方產(chǎn)業(yè)政策的指導方向與發(fā)展要求。

2、功率半導體市場空間廣闊，公司已具備良好的客戶基礎(chǔ)

我國SiC等電力電子器件產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展較晚，加之技術(shù)門檻高、投入大，現(xiàn)階段SiC功率半導體器件的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)幾乎被歐美、日本IDM半導體廠商所壟斷，國內(nèi)前十大SiC功率半導體器件供應(yīng)商均為國外企業(yè)。

同時，SiC等功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，加之國內(nèi)“缺芯”狀況非常突出，使得車用功率器件的進口替代空間巨大?；赟iC功率器件產(chǎn)品市場的增長、新能源汽車行業(yè)需求的增加以及“缺芯”問題的急迫性，加快功率器件產(chǎn)品的國產(chǎn)替代化已經(jīng)成為行業(yè)共識。近幾年，在國家政策的大力扶持下，國內(nèi)企業(yè)加速引進和開發(fā)先進的設(shè)備、工藝技術(shù)，使得半導體功率器件芯片國產(chǎn)化出現(xiàn)了較大飛躍。

在此背景下，SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目的實施符合國家政策導向，順應(yīng)市場趨勢，與公司總體戰(zhàn)略發(fā)展目標和公司現(xiàn)階段實際情況相匹配。

公司SiC功率器件產(chǎn)品技術(shù)成熟，擁有良好市場基礎(chǔ)。本項目SiC產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源電動汽車電控模塊，而公司功率芯片已經(jīng)在乘用車電控模塊中使用，因此將有助于SiC功率器件產(chǎn)品的推廣應(yīng)用。

3、公司技術(shù)、知識產(chǎn)權(quán)和人才儲備優(yōu)勢明顯，為項目實施提供保障

2019年起，隨著SiC MOSFET/SBD芯片在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)形成明確的應(yīng)用，同時SiC功率器件在汽車應(yīng)用領(lǐng)域得到持續(xù)推廣，公司加快布局SiCMOSFET/SBD芯片和功率模塊的研發(fā)。本項目實施主體士蘭明鎵充分利用公司研發(fā)資源優(yōu)勢，以及6英寸芯片生產(chǎn)線技術(shù)和生產(chǎn)管理優(yōu)勢，突破并掌握了平面柵SiC MOSFET/SBD關(guān)鍵技術(shù)。

本項目依托公司強大的設(shè)計能力和芯片制造能力，以及公司運行多年的芯片生產(chǎn)線的管理經(jīng)驗，將進一步擴大產(chǎn)品產(chǎn)能，提升產(chǎn)品質(zhì)量，深度開發(fā)SiCMOSFET/SBD芯片，充分發(fā)揮公司的技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)公司產(chǎn)品向高端產(chǎn)品領(lǐng)域的擴展，有助于加快我國功率模塊生產(chǎn)技術(shù)進步，提升行業(yè)發(fā)展水平。

4、項目所在地福建省廈門市具有半導體產(chǎn)業(yè)聚集規(guī)模，為項目落地創(chuàng)造良好條件

項目所在地福建省已有許多集成電路芯片設(shè)計、制造、封裝、材料等企業(yè)，形成了一定的產(chǎn)業(yè)聚集規(guī)模。廈門市是福建省芯片產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)，已建設(shè)火炬高新區(qū)、海滄臺商投資區(qū)、自貿(mào)區(qū)湖里片區(qū)三個集成電路重點集聚區(qū)域。

目前，廈門已獲批建設(shè)“芯火”雙創(chuàng)基地（平臺）、設(shè)立海峽兩岸集成電路產(chǎn)業(yè)合作試驗區(qū)。同時，為鼓勵集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，廈門市還針對集成電路產(chǎn)業(yè)出臺了相關(guān)規(guī)劃、實施細則、投融資、人才支持和科研支持等眾多政策，進一步推動項目建設(shè)，提升高速芯片、高功率芯片、5G射頻芯片和5G功放芯片等制造工藝水平。

《廈門市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃綱要》提到，到2025年，集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達到1500億元，以集成電路產(chǎn)業(yè)支撐的信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)模超4500億元，成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點集聚地區(qū)之一，形成具有國內(nèi)龍頭地位的化合物半導體研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化基地，構(gòu)建較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，在部分領(lǐng)域占有國際半導體產(chǎn)業(yè)版圖中的一席之地。

此報告為正式可研報告摘取部分，個性化定制請咨詢思瀚產(chǎn)業(yè)研究院。