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①功能分類(lèi)
光芯片按功能可以分為激光器芯片和探測(cè)器芯片,其中激光器芯片主要用于發(fā)射信號(hào),將電信號(hào)轉(zhuǎn)化為光信號(hào),探測(cè)器芯片主要用于接收信號(hào),將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。激光器芯片,按出光結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步分為面發(fā)射芯片和邊發(fā)射芯片,面發(fā)射芯片包括 VCSEL 芯片,邊發(fā)射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片;探測(cè)器芯片,主要有 PIN 和 APD 兩類(lèi)。具體情況如下:
A、激光器芯片
激光器芯片主要有 VCSEL、FP、DFB和 EML,具體特點(diǎn)如下:
B、探測(cè)器芯片
探測(cè)器芯片主要有 PIN和 APD,具體特點(diǎn)如下所示:
②原材料分類(lèi)
光芯片企業(yè)通常采用三五族化合物磷化銦(InP)和砷化鎵(GaAs)作為芯片的襯底材料,相關(guān)材料具有高頻、高低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),符合高頻通信的特點(diǎn),因而在光通信芯片領(lǐng)域得到重要應(yīng)用。
其中,磷化銦(InP)襯底用于制作 FP、DFB、EML 邊發(fā)射激光器芯片和 PIN、APD探測(cè)器芯片,主要應(yīng)用于電信、數(shù)據(jù)中心等中長(zhǎng)距離傳輸;砷化鎵(GaAs)襯底用于制作 VCSEL 面發(fā)射激光器芯片,主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心短距離傳輸、3D感測(cè)等領(lǐng)域。