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光伏薄膜沉積設(shè)備應(yīng)用情況
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院    2022-12-20

光伏薄膜沉積設(shè)備主要應(yīng)用于太陽(yáng)能晶硅電池片的制造環(huán)節(jié)，根據(jù)電池不同工藝和所需的薄膜性質(zhì)，所采用的薄膜沉積設(shè)備會(huì)有所不同。2018 年-2021年，我國(guó)新建成產(chǎn)線基本全部為 PERC 產(chǎn)線，針對(duì)目前已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的PERC 電池生產(chǎn)技術(shù)，生產(chǎn)設(shè)備基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，其中薄膜沉積設(shè)備主要用于PERC 電池的鈍化和減反膜的制備。

對(duì)于新型高效電池來(lái)說(shuō)，目前產(chǎn)業(yè)化前景最為明確的 TOPCon 電池和 HJT電池對(duì)于薄膜沉積的需求更高。TOPCon 電池生產(chǎn)線可以由 PERC 電池生產(chǎn)線升級(jí)改造實(shí)現(xiàn)，除原薄膜沉積需求外，還增加了隧穿層和摻雜多晶硅層鍍膜需求。HJT 電池整體結(jié)構(gòu)變化較大，其制造環(huán)節(jié)只需 4 大類設(shè)備，分別是制絨清洗設(shè)備（投資占比 10%）、非晶硅沉積設(shè)備（投資占比 50%）、透明導(dǎo)電薄膜設(shè)備（投資占比 25%）和印刷設(shè)備（投資占比 15%），其中非晶硅沉積設(shè)備、透明導(dǎo)電薄膜設(shè)備均需要用到薄膜沉積設(shè)備。

以 PERC 和 TOPCon 電池為例，其工藝流程及各環(huán)節(jié)主要設(shè)備如下：

在 PERC 電池背面及 TOPCon 電池正面的氧化鋁和氮化硅疊層的制備中，公司開發(fā)的 PEALD 二合一平臺(tái)能夠在同一臺(tái)設(shè)備中完成兩種薄膜的制備，除了能提高薄膜質(zhì)量以提供更好的鈍化效果之外，還有效降低了客戶單位產(chǎn)能的設(shè)備投資成本。

在 TOPCon 電池關(guān)鍵工藝步驟隧穿層和多晶硅層的制備中，LPCVD 為起步較早的技術(shù)路線，但市場(chǎng)推廣進(jìn)程較慢，主要因?yàn)槠浯嬖诶@鍍嚴(yán)重、成膜速率低、需二次摻雜過(guò)程繁瑣、后期運(yùn)營(yíng)成本高等尚未解決的技術(shù)難題。而公司開發(fā)的 PEALD 二合一平臺(tái)，集成了 PEALD 和 PECVD 兩種工藝，分別用于制備隧穿層和多晶硅層，能夠彌補(bǔ) LPCVD技術(shù)存在的不足。