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先進(jìn)半導(dǎo)體工藝平臺(tái)開發(fā)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 杰華特    2022-12-20

1.項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容

本項(xiàng)目實(shí)施主體為杰華特，項(xiàng)目總投資 21,064.43 萬元，計(jì)劃投入募集資金21,064.43 萬元。項(xiàng)目將通過購置先進(jìn)實(shí)驗(yàn)設(shè)備及軟件及引進(jìn)業(yè)內(nèi)優(yōu)秀人才，對(duì)12 寸中低壓 BCD 工藝、高壓及超高壓 BCD 工藝等多個(gè)半導(dǎo)體工藝平臺(tái)進(jìn)行持續(xù)開發(fā)。

2.項(xiàng)目建設(shè)的必要性分析

（1）提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的必然要求

一顆優(yōu)質(zhì)的模擬集成電路產(chǎn)品的產(chǎn)出，離不開工藝平臺(tái)和器件的最優(yōu)配合。目前，全球前十大模擬集成電路廠商均擁有自有工藝平臺(tái)，以此來保證自身產(chǎn)品的先進(jìn)性，并提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。目前國內(nèi)一般模擬芯片廠商主要采用晶圓廠的自有工藝，并集中在對(duì)性能要求較低的消費(fèi)領(lǐng)域進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，而對(duì)工業(yè)應(yīng)用、通訊電子、汽車電子等對(duì)模擬芯片要求更高的領(lǐng)域涉及較少。

本項(xiàng)目的實(shí)施將有助于公司結(jié)合自有工藝，快速響應(yīng)設(shè)計(jì)需求，提升高性能產(chǎn)品的研發(fā)能力與效率，實(shí)現(xiàn)公司技術(shù)及產(chǎn)品的差異化，并在新興應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行突破，進(jìn)一步增強(qiáng)公司模擬芯片產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

（2）發(fā)揮工藝協(xié)同優(yōu)勢(shì)客觀需要

相對(duì)于數(shù)字集成電路，模擬集成電路種類繁雜、下游應(yīng)用廣泛且多樣化，代工標(biāo)準(zhǔn)化程度較低，對(duì)設(shè)計(jì)企業(yè)和制造企業(yè)之間技術(shù)合作的緊密程度有較高的要求，因此需要通過特色工藝與設(shè)計(jì)結(jié)合以實(shí)現(xiàn)定制化需求。

優(yōu)秀的工藝平臺(tái)能做到設(shè)計(jì)工藝協(xié)同優(yōu)化，從而提升設(shè)計(jì)的效率和芯片的性能；因此，高性能模擬電路產(chǎn)品需通過工藝與設(shè)計(jì)結(jié)合實(shí)現(xiàn)。當(dāng)下國內(nèi)模擬芯片廠商產(chǎn)品性能普遍受生產(chǎn)工藝所限，國內(nèi)晶圓廠在特色工藝平臺(tái)的先進(jìn)性和完整度方面落后于 TI、ADI等海外廠商；國產(chǎn)模擬和模數(shù)混合芯片在模擬性能等方面較之國外先進(jìn)水平尚有較大差距。

公司自成立以來，始終堅(jiān)持發(fā)展獨(dú)立自主的芯片研發(fā)技術(shù)，目前已形成了從工藝、設(shè)計(jì)再到系統(tǒng)的研發(fā)技術(shù)完整架構(gòu)。本次先進(jìn)半導(dǎo)體工藝平臺(tái)開發(fā)項(xiàng)目的實(shí)施，將進(jìn)一步提升公司的設(shè)計(jì)與工藝協(xié)同能力，提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

3.項(xiàng)目建設(shè)的可行性分析

（1）產(chǎn)業(yè)鏈資源可提供配套資源

目前，國內(nèi)主流晶圓廠均可提供較為成熟的模擬芯片制造工藝平臺(tái)，可滿足高電壓、高精度、高密度等不同應(yīng)用方向的全方位需求。部分國內(nèi)晶圓廠除了保持面向消費(fèi)類電子的低壓 BCD 工藝平臺(tái)持續(xù)升級(jí)外，針對(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用的中高壓 BCD 平臺(tái)和車載 BCD 平臺(tái)也在開發(fā)中，同時(shí)開展了 90 納米 BCD 工藝平臺(tái)開發(fā)。國內(nèi)豐富的成熟制程晶圓和封測(cè)代工廠商資源，為本次先進(jìn)半導(dǎo)體工藝平臺(tái)開發(fā)項(xiàng)目的實(shí)施奠定了良好的產(chǎn)業(yè)鏈資源配套基礎(chǔ)。

（2）公司具備完備工藝研發(fā)體系

為保障上游供應(yīng)商生產(chǎn)的及時(shí)性與產(chǎn)能的穩(wěn)定性，公司與中芯國際、華虹宏力、華潤(rùn)上華等國內(nèi)主要晶圓廠開展了廣泛業(yè)務(wù)合作，充分開展制造工藝技術(shù)交流，目前公司已在國內(nèi)主要晶圓廠構(gòu)建了0.18微米的7至55V中低壓BCD工藝、0.18 微米的 10 至 200V 高壓 BCD 工藝、以及 0.35 微米的 10 至 700V 超高壓 BCD工藝等三大類工藝平臺(tái)，各工藝條線均已迭代一至三代，初步形成了系統(tǒng)的自研工藝體系。

同時(shí)，在與晶圓廠合作過程中，公司既幫助晶圓廠調(diào)試提升了 BCD工藝水平，又實(shí)現(xiàn)了企業(yè)自身上游供應(yīng)鏈的完全國產(chǎn)化，客觀上實(shí)現(xiàn)了雙贏效果。因此，公司良好的工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn)積累，為本項(xiàng)目的實(shí)施奠定了良好的現(xiàn)實(shí)基礎(chǔ)。

4.項(xiàng)目投資概算 單位：萬元

5.項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度安排

注：3-36 等數(shù)字代表建設(shè)期開始后所經(jīng)過的月份數(shù)

6.項(xiàng)目涉及的立項(xiàng)備案程序

本項(xiàng)目已完成浙江省企業(yè)投資項(xiàng)目備案 ， 備案項(xiàng)目代碼為2110-330106-04-02-325106。

7.項(xiàng)目涉及的環(huán)保情況

本項(xiàng)目運(yùn)營中對(duì)環(huán)境的影響主要為廢水、固廢、廢氣，公司將建設(shè)與主體工程相匹配的環(huán)境保護(hù)設(shè)施，對(duì)排放污染物進(jìn)行必要的處理措施，以符合環(huán)保要求。

此報(bào)告為正式報(bào)告摘取部分。需編制政府立項(xiàng)、銀行貸款、投資決策等用途可行性研究報(bào)告咨詢思瀚產(chǎn)業(yè)研究院。