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新一代數(shù)據(jù)存儲主控芯片系列產(chǎn)品研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目可行性研究報告
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 聯(lián)蕓科技    2022-12-29

1、項目基本情況

本次產(chǎn)業(yè)化升級項目將設(shè)立存儲主控芯片試驗室，場地面積共計 2,500 ㎡，并購置相關(guān)設(shè)備，圍繞公司已成熟量產(chǎn)的存儲主控芯片，在原有產(chǎn)品基礎(chǔ)上進行技術(shù)升級和新系列的產(chǎn)品開發(fā)，開發(fā)性能更高、穩(wěn)定性更強、能耗更低的新一代存儲主控芯片。

項目實施后，將提高公司產(chǎn)品的市場競爭力，項目達產(chǎn)后將形成年產(chǎn) 3,960 萬片新一代存儲主控芯片的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

2、項目實施的可行性

（1）國家及地方政策的有力支持是項目順利實施的有力保證

集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。2020 年 5 月，國務(wù)院發(fā)布《2020 年政府工作報告》，提出要加強新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，發(fā)展新一代信息網(wǎng)絡(luò)，拓展 5G 應(yīng)用，建設(shè)數(shù)據(jù)中心等舉措。

杭州作為中國集成電路產(chǎn)業(yè)集群第一梯隊中的重要城市，近年來也發(fā)布了相關(guān)政策支持行業(yè)發(fā)展。2022 年 7 月，杭州市發(fā)布《杭州市人民政府辦公廳關(guān)于促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的實施意見》，提出培育集成電路集群促進機構(gòu)，加強平臺服務(wù)功能，支持龍頭企業(yè)創(chuàng)建高端芯片、特色工藝、化合物半導(dǎo)體等技術(shù)研發(fā)中心，每年新增企業(yè)研發(fā)機構(gòu) 5 家（含）以上。

綜上，國家及地方政策對數(shù)據(jù)存儲芯片及其應(yīng)用領(lǐng)域的大力支持，為本項目實施營造了良好的政策環(huán)境。

（1）健全的研發(fā)平臺與深厚的技術(shù)積累為項目提供堅實基礎(chǔ)

聯(lián)蕓科技經(jīng)過數(shù)年的的發(fā)展和技術(shù)耕耘，已構(gòu)建起 SoC 芯片架構(gòu)設(shè)計、算法設(shè)計、數(shù)字 IP 設(shè)計、模擬 IP 設(shè)計、中后端設(shè)計、封測設(shè)計、系統(tǒng)方案開發(fā)等全流程的芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化平臺。目前發(fā)行人已具備高性能多 CPU 內(nèi)核融合硬件協(xié)處理 SoC 芯片架構(gòu)設(shè)計技術(shù)；高性能核心 IP 自主研發(fā)及集成設(shè)計、高性能、高糾錯 4K LDPC 核心 IP 自主設(shè)計技術(shù)；高性能安全密碼算法及真隨機發(fā)生器 IP設(shè)計技術(shù)；硬件 RAID5 數(shù)據(jù)可靠保護模塊設(shè)計技術(shù)；自適應(yīng)的 NAND Flash 數(shù)字信號 DSP 處理技術(shù)；高性能、高適配 NAND Flash 接口 IP 技術(shù)等項目產(chǎn)品研發(fā)所需的各項技術(shù)。

在人才儲備方面，公司擁有一支高素質(zhì)的設(shè)計研發(fā)人才隊伍，截至 2022 年6 月 30 日，聯(lián)蕓科技數(shù)據(jù)存儲主控芯片業(yè)務(wù)模塊相關(guān)的團隊規(guī)模超過 300 人，可同時并行開發(fā)多款數(shù)據(jù)存儲主控芯片能力。

3、項目實施的必要性

（1）順應(yīng)行業(yè)市場發(fā)展需要，保持競爭優(yōu)勢

隨著技術(shù)的不斷發(fā)展與迭代，預(yù)計未來具備高性能、高穩(wěn)定性、高安全、低功耗等特性的 PCIe4.0 及 PCIe5.0 接口產(chǎn)品市場占比將逐步提高。預(yù)計 2025 年，PCIe5.0接口SSD主控芯片將在整機終端等領(lǐng)域獲得大規(guī)模應(yīng)用，市場需求可觀。

就 UFS3.1 主控芯片而言，該芯片屬嵌入式存儲主控芯片，嵌入式存儲主控芯片分為 UFS 主控芯片與 eMMC 芯片，UFS 主控芯片為目前主流的嵌入式存儲主控芯片之一，隨著 5G 智能手機的快速增長，UFS3.1 具有極大的市場成長空間。UFS3.X 系列主控芯片由于其高性能、高穩(wěn)定性、低功耗、低成本的特點，將逐步取代 UFS2.X 系列主控芯片成為嵌入式存儲主控芯片的主力出貨產(chǎn)品。

綜上，本次項目涉及的產(chǎn)品均為順應(yīng)行業(yè)發(fā)展需要而生，公司通過研發(fā)該類芯片，能夠緊抓行業(yè)發(fā)展機遇，在日益激烈的市場競爭中保持優(yōu)勢地位。

（2）完善公司產(chǎn)品布局，增強核心競爭力

一方面，聯(lián)蕓科技在數(shù)據(jù)存儲主控芯片領(lǐng)域，已經(jīng)完成 SATA、PCIe3.0、PCIe4.0 接口固態(tài)硬盤主控芯片布局，并覆蓋消費級、企業(yè)級、工業(yè)級固態(tài)硬盤多領(lǐng)域，取得了一定的行業(yè)知名度與市場口碑。募投項目涉及的 PCIe5.0 固態(tài)硬盤主控芯片，能夠進一步完善該產(chǎn)品線完整度，也是公司進入高端存儲主控芯片的重要抓手。另一方面，募投項目涉及的 UFS3.1 主控芯片是聯(lián)蕓科技在數(shù)據(jù)存儲主控芯片領(lǐng)域從固態(tài)硬盤主控芯片向嵌入式存儲主控芯片領(lǐng)域擴張的首款芯片。因此，募投項目的實施能夠有效完善公司產(chǎn)品布局，進一步增強公司核心競爭力。

（3）吸納高端人才，增強公司創(chuàng)新研發(fā)能力

集成電路行業(yè)屬技術(shù)密集型行業(yè)，人才是集成電路行業(yè)核心資產(chǎn)。近年來，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，企業(yè)間人才競爭較為激烈，高素質(zhì)存儲主控芯片研發(fā)人員在人才的選、育、用、留等環(huán)節(jié)都存在困難。公司需要采取行之有效的措施擴充高素質(zhì)人才，以更好推動企業(yè)級與消費級存儲主控芯片的研發(fā)。

公司現(xiàn)階段處于快速發(fā)展時期，隨著業(yè)務(wù)規(guī)模的不斷擴大，公司將借助募投項目，不斷擴充人才隊伍，大力招聘行業(yè)內(nèi)的研發(fā)、市場、銷售和運營等高素質(zhì)專業(yè)人才。一方面，人員數(shù)量增加，公司經(jīng)營規(guī)模增大，需要公司根據(jù)實際新增經(jīng)營場所，改善辦公環(huán)境，滿足人才辦公及經(jīng)營需要；另一方面，芯片設(shè)計行業(yè)內(nèi)人才平均薪資水平較高，更加充裕的資金將為公司加強研發(fā)實力，引進高端人才提供資金支持。

4、項目投資概算

項目總投資額為裝修費用、設(shè)備購置費、研發(fā)費用、預(yù)備費與鋪底流動資金之和。根據(jù)以上估算，本項目投資總額為 46,565.64 萬元。其中裝修費用 300.00萬元，設(shè)備購置費 9,740.03 萬元，研發(fā)費用 28,870.97 萬元、預(yù)備費 502.00 萬元、鋪底流動資金 7,152.64 萬元。

4、項目實施地點與時間進度安排

（1）項目實施地點

本項目擬使用聯(lián)蕓科技數(shù)據(jù)管理芯片產(chǎn)業(yè)化基地項目建設(shè)的場地，在基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)完成之前，該項目將在公司現(xiàn)有辦公地點開展。

（2）時間進度安排

根據(jù)本項目的建設(shè)規(guī)模、實施條件以及建設(shè)的迫切性和項目建設(shè)的外部條件等各種因素，并綜合項目總體發(fā)展目標(biāo)，確定建設(shè)工期為 24 個月。項目計劃分以下階段實施完成，包括：方案立項、設(shè)備購置、人員招聘與培訓(xùn)、技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品落地及市場推廣。

5、環(huán)境保護事項

本項目屬數(shù)據(jù)存儲主控芯片設(shè)計項目，不會產(chǎn)生工業(yè)廢水、廢氣、廢渣與噪聲等，不會對環(huán)境產(chǎn)生污染。項目在其設(shè)計、建設(shè)和開發(fā)經(jīng)營中貫徹可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，采取有效的綜合防治和利用措施，做到辦公廢物減量化、無害化、資源化，對環(huán)境無不良影響。

此報告為正式報告摘取部分。需編制政府立項、銀行貸款、投資決策等用途可行性研究報告咨詢思瀚產(chǎn)業(yè)研究院。