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芯片制程日趨縮小對刻蝕工藝和大直徑硅材料制造技術(shù)提出更高要求
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院 2023-09-07

國際先進(jìn)集成電路制造廠商的先進(jìn)制程工藝取得突破：三星電子于 2022 年 6 月宣布實(shí)現(xiàn)全球首批 3nm 制程芯片出貨；臺(tái)積電于 2022 年 12月宣布 3nm 工藝量產(chǎn)，2nm 制程產(chǎn)品將于 2024 年開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)并計(jì)劃在 2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；英特爾預(yù)計(jì)其 3nm 制程（Intel 3）將于 2023 年下半年準(zhǔn)備生產(chǎn)，2nm 制程（Intel 20A）將于 2024年上半年準(zhǔn)備量產(chǎn)。

半導(dǎo)體加工制程不斷進(jìn)步，12 英寸集成電路產(chǎn)品的設(shè)計(jì)線寬越來越窄，因此溝槽也相應(yīng)變窄，需要更高的刻蝕精度。

更高的刻蝕精度對 12 英寸硅片表面的溫度、刻蝕氣體濃度、材料性質(zhì)提出更高的均勻性要求，采用更大的腔體和更大的上電極、下電極，更容易確保 12 英寸硅片面內(nèi)各項(xiàng)工藝對均勻性的要求。因此，目前國際領(lǐng)先刻蝕機(jī)廠商的最新機(jī)型，都在向著大型化方向發(fā)展。

隨著以上技術(shù)工藝發(fā)展，更大尺寸的硅電極及其所需的上游材料——更大直徑的大直徑硅材料（16 英寸以上）的需求也將隨之增加。

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