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EEPROM 方面,目前主力工藝節(jié)點(diǎn)在 0.13um,各廠家也積極推進(jìn)先進(jìn)制程的工程實(shí)現(xiàn),以期獲得成本和可靠性的持續(xù)優(yōu)化。消費(fèi)類電子市場(chǎng)的中小容量 EEPROM 的需求已經(jīng)過(guò)巔峰,需求量預(yù)估會(huì)有所下降。
高可靠要求的領(lǐng)域(如 變頻電機(jī)、儀表、汽車電子、新能源系統(tǒng)、工控等)對(duì) EEPROM 的需求量也會(huì) 持續(xù)增加,產(chǎn)品需求向更高可靠性發(fā)展。 NOR Flash 方面,目前主流的 ETOX 架構(gòu)演進(jìn)至 55nm/50nm 工藝節(jié)點(diǎn),仍 在向 50nm、4Xnm 工藝節(jié)點(diǎn)演進(jìn),但后續(xù)迭代速度將逐步減緩。
非 ETOX 架構(gòu) 的 NOR Flash 架構(gòu)及新型器件的存儲(chǔ)器仍在不斷摸索中,但新產(chǎn)品可靠性、量產(chǎn) 穩(wěn)定性及成本優(yōu)化程度還需加強(qiáng)。NOR Flash 的產(chǎn)品規(guī)格持續(xù)向高速、低功耗、 高可靠方向發(fā)展。
網(wǎng)絡(luò)通訊(5G 基站、PON、CPE)、手機(jī)模組(屏模組,觸 控模組、人臉識(shí)別模組等)、物聯(lián)網(wǎng) IoT(WiFi、BLE、Zigbee、4G LTE 等)、 安防監(jiān)控、電腦及周邊設(shè)備、可穿戴設(shè)備(手環(huán)、手表、TWS 耳機(jī))等應(yīng)用需 求量巨大且增量持續(xù)增加,NOR Flash 的市場(chǎng)前景可期,但價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)也會(huì)較激烈。
SLC NAND Flash 方面,在國(guó)產(chǎn)新制程量產(chǎn)普及以后,產(chǎn)品成本及產(chǎn)能進(jìn)一 步優(yōu)化,SLC NAND Flash 產(chǎn)品也將在更多的應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)更多的份額,如網(wǎng)絡(luò)通訊、機(jī)頂盒、可穿戴設(shè)備、安防監(jiān)控產(chǎn)品應(yīng)用中,SLC NAND FLASH 的搭配份額將會(huì)持續(xù)增加,智能家居、工業(yè)控制、5G 網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、大型拼接屏 等市場(chǎng)的 SLC NAND Flash 需求也會(huì)增加。
隨著嵌入式設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)芯片的容量提出了越來(lái)越高的要求,部分領(lǐng)域 NAND Flash 已呈現(xiàn)出替代 NOR Flash 承擔(dān)程序 代碼存儲(chǔ)應(yīng)用的趨勢(shì)。