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(1)項(xiàng)目基本情況
本項(xiàng)目以晶合集成已擁有的110nm制程節(jié)點(diǎn)領(lǐng)域的微控制器技術(shù)和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),進(jìn)一步開發(fā)55納米及40納米微控制器技術(shù),開發(fā)元件包含:可供微控制器使用的低功耗核心低壓元件(1.1V),以及核心組件硅智材-多次性可編程(MTP)及嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eFlash)等,并在平臺(tái)上導(dǎo)入多種嵌入式非揮發(fā)性記憶體IP,包含多次性可編程技術(shù),嵌入式電可擦除只讀存儲(chǔ)器技術(shù)和嵌入式閃存技術(shù)。
平臺(tái)開發(fā)完成后,預(yù)計(jì)項(xiàng)目完成后,公司將可以提供性能、功耗、耐久性、資料保存性能等指標(biāo)良好的中高端微控制器芯片。
上述研發(fā)項(xiàng)目完成后,公司將具備生產(chǎn)微控制器芯片的技術(shù)能力,終端應(yīng)用包括車用電子、智能家居等。
(2)項(xiàng)目投資概算
本項(xiàng)目將組建約100人的研發(fā)團(tuán)隊(duì),總投資為3.53億元,主要包括主機(jī)臺(tái)設(shè)備投資、測(cè)試軟硬件費(fèi)用和人力費(fèi)用。
(3)項(xiàng)目周期和時(shí)間進(jìn)度
本項(xiàng)目預(yù)計(jì)于2023年第三季度開始實(shí)施,具體時(shí)間節(jié)點(diǎn)如下:
2023年第三季度:微控制器芯片工藝平臺(tái)項(xiàng)目啟動(dòng)
2026年第二季度:完成 40納米微控制器工藝平臺(tái)開發(fā)