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存儲(chǔ)控制芯片企業(yè)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中參與度不斷加深
思瀚產(chǎn)業(yè)研究院    2023-12-15

中國(guó)自 2005 年以來(lái)成為全球集成電路市場(chǎng)最大消費(fèi)國(guó)后，市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，根據(jù)海關(guān)總署統(tǒng)計(jì)，2017 年-2021 年間，中國(guó)集成電路進(jìn)口規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，進(jìn)口數(shù)量從 3,763 億個(gè)增長(zhǎng)至6,355 億個(gè)，增幅 68.8%。而另一方面，同期間出口數(shù)量增幅僅為 52.1%，貿(mào)易逆差持續(xù)擴(kuò)大，國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程仍待持續(xù)加速與深入推進(jìn)。

根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，2021 年中國(guó)集成電路自給率僅為 16%，若不包括在中國(guó)設(shè)廠的非大陸公司，自給率僅有 6%左右，而其中半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的國(guó)內(nèi)自給率則更低，根據(jù) BCG 及 SIA 數(shù)據(jù)不到 1%，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)自主可控意義重大。中國(guó)亟需加快形成以國(guó)內(nèi)大循環(huán)為主體，國(guó)內(nèi)國(guó)際雙循環(huán)相互促進(jìn)的新發(fā)展格局，從自主創(chuàng)新到自主可控，以科技創(chuàng)新支撐和引領(lǐng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)循環(huán)發(fā)展全過(guò)程，構(gòu)建自主可控的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈。

目前，NAND FLASH 全球市場(chǎng)高度集中，主要由三星電子、美光科技、SK海力士等國(guó)際領(lǐng)先存儲(chǔ)顆粒廠主導(dǎo)，并與全球范圍內(nèi)的領(lǐng)先終端客戶、存儲(chǔ)控制芯片公司、存儲(chǔ)模組廠形成較為成熟的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器生態(tài)圈。在國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)政策的推動(dòng)下，我國(guó) NAND FLASH 存儲(chǔ)顆粒的工藝制程和堆疊層數(shù)等技術(shù)方面取得關(guān)鍵突破，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為代表的存儲(chǔ)顆粒廠正縮小與國(guó)際領(lǐng)先存儲(chǔ)顆粒廠的技術(shù)差距。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)和設(shè)備投入，已逐步開(kāi)始量產(chǎn)并向市場(chǎng)供應(yīng) NAND FLASH 存儲(chǔ)顆粒，打破了長(zhǎng)期由境外存儲(chǔ)顆粒廠壟斷的市場(chǎng)格局。存儲(chǔ)顆粒的銷售額和行業(yè)影響力巨大，但在產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)中須與存儲(chǔ)控制芯片配套才能組成為存儲(chǔ)器產(chǎn)品并落地應(yīng)用。

海外存儲(chǔ)控制芯片公司相較于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)控制芯片公司而言，因受到國(guó)際形勢(shì)、國(guó)家信息安全、技術(shù)支持與運(yùn)維服務(wù)力度等因素制約，無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)客戶需求。目前國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)顆粒廠、存儲(chǔ)模組廠正與國(guó)內(nèi)技術(shù)較為先進(jìn)的存儲(chǔ)控制芯片公司合作，致力于打造技術(shù)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，營(yíng)造存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)生態(tài)，形成產(chǎn)業(yè)閉環(huán)，共同服務(wù)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)。