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材料變革驅(qū)動(dòng)封裝技術(shù)發(fā)展。分立器件的發(fā)展離不開新材料、新工藝的不斷研究與創(chuàng)新。隨著第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等在半導(dǎo) 體行業(yè)應(yīng)用,對(duì)封裝技術(shù)帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。為了提高分立器件的成品率和可靠性, 分立器件封測(cè)企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝及封裝技術(shù)。 功率器件封裝技術(shù)不斷進(jìn)步。
功率器件技術(shù)含量較高,在一定程度上能代表 分立器件封測(cè)行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。為提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化,分立器件封測(cè)需在器件和模塊兩個(gè)層面實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,進(jìn)而提高產(chǎn)品的性能和使用壽命。
傳統(tǒng)引線鍵合技術(shù)帶來(lái)的虛焊、導(dǎo)通內(nèi)阻高等問題逐步被球鍵合和楔鍵合等鍵合方式所解決。以燒結(jié)銀焊接技術(shù)為代表的功率器件封裝技術(shù)是行業(yè)追逐的熱點(diǎn), 該技術(shù)是目前最適合寬禁帶半導(dǎo)體模塊封裝的界面連接技術(shù)之一,是碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體模塊封裝中的關(guān)鍵技術(shù),市場(chǎng)需求巨大,能夠更好地實(shí)現(xiàn)高功率密度封裝。
此外,以 Clip bond 為代表的分立器件封裝工藝能夠提高電流承載能力、 提升器件板級(jí)可靠性、有效降低器件熱阻、提高封裝效率,已成為華潤(rùn)微等國(guó)內(nèi)主要廠商在功率器件封裝領(lǐng)域掌握的主要技術(shù)。
小型化、模塊化封裝是當(dāng)前分立器件封裝技術(shù)發(fā)展的主要方向。隨著 5G 網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的發(fā)展,分立器件呈現(xiàn)小型化、組裝模塊化和功能系統(tǒng)化的發(fā)展趨勢(shì),這對(duì)封測(cè)技術(shù)提出了更高要求,如尺寸和成本的限制、大批量生產(chǎn)和自動(dòng)裝配能力。此外,下游市場(chǎng)可穿戴設(shè)備等電子產(chǎn)品小型化需求的增長(zhǎng),也 對(duì)分立器件封裝技術(shù)提出了新要求。