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1、項目可行性和必要性
(1)推進先進技術(shù),強化技術(shù)競爭力
集成電路產(chǎn)業(yè)是按“摩爾定律”快速進步的產(chǎn)業(yè),終端應(yīng)用的不斷升級和多樣化推動著工藝技術(shù)的持續(xù)進步。先進技術(shù)節(jié)點是未來集成電路晶圓代工行業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動力。
通過實施合肥晶合集成電路先進工藝研發(fā)項目,公司將自主開發(fā)40/28納米的更先進工藝及微控制器與后照式CMOS圖像傳感器芯片工藝技術(shù)等,進一步強化公司技術(shù)競爭力。公司亦將持續(xù)引進業(yè)內(nèi)高級技術(shù)人才,從各方面提升公司研發(fā)實力。
(2)填補國內(nèi)芯片產(chǎn)能空缺,滿足市場需求
在高端CMOS圖像傳感器領(lǐng)域,國內(nèi)外市場主要被索尼、三星等日韓廠商所主導(dǎo)。公司研發(fā)項目所開發(fā)的后照式CMOS圖像傳感器芯片技術(shù),可有效打破國外龍頭公司“卡脖子”壟斷狀態(tài),滿足國內(nèi)龐大的市場需求。
受惠于5G、智能汽車及物聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展,車用電子、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的市場需求也日益壯大,該等應(yīng)用所需的55/40/28納米制程產(chǎn)能緊缺,尚不足以滿足市場需求。公司擬進行的55/40納米微控制器芯片及28納米OLED顯示驅(qū)動及邏輯芯片的開發(fā),將有助于緩解目前國內(nèi)“缺芯”的情況。
(3)下游市場空間巨大
受益于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、5G等創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域市場蓬勃發(fā)展,圖像傳感器、OLED顯示驅(qū)動及AIoT的市場規(guī)模巨大。圖像傳感器全球銷售規(guī)模預(yù)計從2020年至2024年間將以7.6%的年復(fù)合增長率繼續(xù)增長,而中國市場規(guī)模年復(fù)合增長率則達8.1%;OLED顯示器方面,2021年,中國OLED產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模為423億美元,到2026年,這一市場將增長到879億美元,中國將持續(xù)作為世界最大的OLED顯示市場;AIoT終端方面,2019年全球AIoT市場規(guī)模為51億美元,2024年將增長至162億美元,復(fù)合年增長率為26.0%。
(4)公司具備技術(shù)儲備,可最大程度發(fā)揮研發(fā)優(yōu)勢
公司已建立完整技術(shù)研發(fā)團隊,并自主開發(fā)成功覆蓋多種產(chǎn)品應(yīng)用的工藝技術(shù),具備相關(guān)技術(shù)儲備。后照式CMOS圖像傳感器芯片工藝平臺方面,公司將以現(xiàn)有90納米前照式CMOS圖像傳感器工藝平臺及55納米工藝平臺技術(shù)為基礎(chǔ),進行90/55納米后照式圖像傳感器技術(shù)的開發(fā)。微控制器芯片工藝平臺方面,公司將基于現(xiàn)有的55納米邏輯制程技術(shù),結(jié)合現(xiàn)有110納米微控制器芯片制造工藝技術(shù),自主開發(fā)完成40納米微控制器芯片工藝技術(shù)。
(5)加強資產(chǎn)完整性,收購合肥藍科土地及廠房
為加強資產(chǎn)完整性和獨立性,本次項目擬包括收購目前由公司租用的合肥藍科土地及廠房。收購后將有效加強公司資產(chǎn)完整性,降低對公司控股股東和關(guān)聯(lián)方的依賴程度、減少關(guān)聯(lián)交易,降低未來風(fēng)險。
2、項目基本情況
本項目將基于晶合集成已量產(chǎn)的90nm前照式(FSI)CMOS圖像傳感器工藝平臺,開發(fā)90nm及55nm后照式(BSI)CMOS圖像傳感器工藝平臺,重點開發(fā)方向包括器件、工藝、性能等方面。
和國內(nèi)主流的8英寸集成電路110nm前照式圖像傳感技術(shù)相比,公司該項目將要開發(fā)的90nm及55nm后照式(BSI)CMOS圖像傳感器工藝平臺可獲得更高的感亮度和量子效率、更寬廣感光角度、更低像素串擾、更高成像品質(zhì)等優(yōu)勢,可生產(chǎn)超高畫素及質(zhì)量要求之終端產(chǎn)品上,廣泛用于高端安防監(jiān)控系統(tǒng)、智能車載環(huán)視及后視攝像頭及高端智能手機等終端設(shè)備。
上述研發(fā)項目完成后,公司將具備生產(chǎn)后照式CMOS圖像傳感器芯片的技術(shù)能力,終端應(yīng)用包括手機、無人機、單眼相機、中畫幅相機、安防監(jiān)控等。
3、項目投資概算
本項目將組建約50人的研發(fā)團隊,總投資為6.0億元,主要包括主機臺設(shè)備投資、測試軟硬件費用和人力費用。
4、項目周期和時間進度
本項目于2021年第四季度開始實施,具體時間節(jié)點如下:
2021年第四季度:后照式 CMOS圖像傳感器芯片工藝平臺項目啟動
2022年第二季度:完成 90納米后照式 CMOS 圖像傳感器芯工藝平臺開發(fā)
2023年第四季度:完成 55納米后照式 CMOS 圖像傳感器芯工藝平臺開發(fā)