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微波瓷介芯片電容器是陶瓷電容器的主要類別之一,采用光刻、磁控濺射的半導(dǎo)體薄膜工藝制備而成,具有微波特性優(yōu)良、尺寸小、厚度薄、等效串聯(lián)電阻低、損耗低等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用頻率可高達(dá) 100GHz,而且適應(yīng)微組裝的鍵合工藝,成為雷達(dá)、微波模塊和光電器件等軍用和民用微波設(shè)備不可或缺的電子元件。
A.全球微波瓷介芯片電容器市場(chǎng)
近年來(lái),移動(dòng)通信技術(shù)從 4G 時(shí)代逐漸發(fā)展到 5G 時(shí)代,頻段越來(lái)越高,支持的應(yīng)用越來(lái)越豐富。5G 時(shí)代的到來(lái)將搭建大量的宏基站和微基站,基站數(shù)量的快速增長(zhǎng)將拉動(dòng)微波瓷介芯片電容器的市場(chǎng)需求。同時(shí),軍用雷達(dá)、電子對(duì)抗設(shè)備等新型武器裝備以及光通信器件等對(duì)微波瓷介芯片電容器的需求也呈現(xiàn)大幅增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
據(jù)統(tǒng)計(jì),微波瓷介芯片電容器 2021 年全球市場(chǎng)規(guī)模約為 39.72 億元,同比增長(zhǎng) 15.10%,預(yù)計(jì)到 2025 年將達(dá)到 70.31 億元。
全球微波瓷介芯片電容器生產(chǎn)企業(yè)主要集中在日本、美國(guó)、中國(guó)大陸以及歐洲,行業(yè)集中度較高。自從京瓷收購(gòu)美國(guó) AVX 后,日本以 58.60%的市場(chǎng)份額在單層瓷介電容器行業(yè)占據(jù)霸主之位。美國(guó)排名第二,占比約為 19.50%,歐洲在全球微波瓷介芯片電容器行業(yè)也占有一席之地。
我國(guó)從事微波瓷介芯片電容器研發(fā)和生產(chǎn)的供應(yīng)商主要有宏明電子、天極科技、宏達(dá)電子、振華云科等數(shù)家,相對(duì)于國(guó)際知名廠商生產(chǎn)規(guī)模均不大,其中宏明電子和天極科技,分別以 3.10%和2.20%的市占率在全球市場(chǎng)取得一席之地。中國(guó)微波瓷介芯片電容器主要企業(yè)在全球市場(chǎng)份額分布如下圖所示:
B.中國(guó)微波瓷介芯片電容器市場(chǎng)
近兩年,在國(guó)內(nèi) 5G 通信行業(yè)快速發(fā)展以及武器裝備更新?lián)Q代的雙重拉動(dòng)下,微波瓷介芯片電容器國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)形勢(shì)較好。據(jù)統(tǒng)計(jì),微波瓷介芯片電容器2021 年達(dá)到 12.42 億元,到 2025 年將達(dá)到 24.27 億元。
在現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)規(guī)模下,我國(guó)本土微波瓷介芯片電容器生產(chǎn)企業(yè)仍有很大的國(guó)產(chǎn)化替代空間。在中國(guó)市場(chǎng)微波瓷介芯片電容器品牌廠商中,美日廠商占有率超過(guò)70%,主要是部分國(guó)內(nèi)本土企業(yè)尚未突破上游晶界層型 3 類瓷的研發(fā)制備技術(shù),而且量產(chǎn)技術(shù)積累不足。
但國(guó)內(nèi)微波瓷介芯片電容器骨干企業(yè)不斷加大研發(fā)投入并積極擴(kuò)產(chǎn),本土企業(yè)不斷通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新,已在微波瓷介芯片電容器的關(guān)鍵材料——晶界層陶瓷材料的研發(fā)生產(chǎn)上取得重大技術(shù)突破,所制備的晶界層陶瓷材料的各項(xiàng)性能指標(biāo)已可跟國(guó)外領(lǐng)先廠商相媲美,逐步搶占市場(chǎng)份額。