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場效應(yīng)管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件,也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有噪聲小、功耗低、開關(guān)速度快、不存在二次擊穿問題,主要具有信號放大、電子開關(guān)、功率控制等功能,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、安防、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等領(lǐng)域,是電源、充電器、電池保護(hù)、馬達(dá)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等不可或缺的器件。
從產(chǎn)品類型看,場效應(yīng)管有平面型 MOSFET、溝槽型 MOSFET、屏蔽柵型 MOSFET、超結(jié)型 MOSFET 等類型;從技術(shù)發(fā)展趨勢看,采用制程復(fù)雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優(yōu)異性能參數(shù)產(chǎn)品是場效應(yīng)管生產(chǎn)廠商不斷追蹤的熱點(diǎn);從行業(yè)壁壘看,場效應(yīng)管廠家需要擁有設(shè)計及較強(qiáng)的封裝工藝能力,才能有效解決制程復(fù)雜和散熱、焊接等突出問題。
從競爭格局看,國外以英飛凌為主的主要廠商市場占有率高,前五大廠商市場占有率超過 50%,市場集中度較高。據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計到 2024 年中國 MOSFET 器件市場規(guī)模將達(dá)到保持在 30 億美元左右。