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1、項目基本情況
智能功率半導體研發(fā)升級項目主要涉及公司的主營產品功率器件、功率 IC、IPM、光繼電器(Photo MOS)等系列產品的技術升級、工藝制程優(yōu)化及部分新品類的研發(fā)及規(guī)?;慨a。
其中,功率器件主要包括高可靠性高壓平面MOSFET(包括 FRMOS)、新一代超結 MOSFET(SJMOS-FD)、40V-200V屏蔽柵 MOSFET 產品;功率 IC包括高壓高速柵極驅動 IC等產品。
該項目實施旨在繼續(xù)加強公司在功率半導體產品的技術積淀,保持在功率器件、功率 IC、IPM、光繼電器(Photo MOS)產品的領先優(yōu)勢,挖掘高性能智能功率半導體的發(fā)展?jié)摿?,打造全系列產品的技術創(chuàng)新平臺,致力于成為市場一流的高性能、智能化功率半導體供應商。
2、項目投資概算
項目總投資 14,473.27 萬元,其中,裝修工程費用 320.27 萬元,占比 2.21%;軟硬件購置費用 2,479.88 萬元,占比 17.13%;預備費 140.01 萬元,占比 0.97%;辦公場地租賃費用 76.46 萬元,占比 0.53%;研發(fā)人員薪酬及福利費用 6,306.80萬元,占比 43.58%;試產、試制費用 1,966.85萬元,占比 13.59%;掩膜版費用2,933.00 萬元,占比 20.26%;資質、認證及其他知識產權事務費用 250.00 萬元,占比 1.73%。
3、項目周期和時間進度
本項目建設時間為 36 個月。本項目實施主要分為方案設計,可行性研究,辦公場地租賃及裝修,設備采購、安裝及調試,人員招聘、培訓和產品研發(fā)、升級及產業(yè)化等階段。
4、備案程序的履行情況
本項目建設內容已于 2022 年 1 月取得張家港市行政審批局出具的《江蘇省投資項目備案證》(項目代碼:2201-320582-89-01-687241)。
5、項目實施地點與環(huán)境保護事項
本項目在公司已有的辦公場地進行項目的建設、實施,不涉及土建工程。本項目產品生產環(huán)節(jié)委托晶圓代工廠和封測廠進行加工,項目運營過程主要是對產品進行設計、開發(fā)和測試,因此項目運營過程中公司不產生廢氣、廢水、廢渣等工業(yè)污染物,不會對環(huán)境產生污染。
6、項目可行性及與公司現(xiàn)有主要業(yè)務、核心技術之間的關系
在智能功率半導體研發(fā)升級項目擬推出的新產品中,功率器件主要包括高可靠性高壓平面 MOSFET(包括 FRMOS)、新一代超結 MOSFET(SJMOS-FD)、40V-200V 屏蔽柵 MOSFET 產品;功率 IC 主要包括高壓高速柵極驅動IC等產品;其他產品主要包括 IPM、光繼電器(Photo MOS)。
高可靠性高壓平面 MOSFET(包括 FRMOS)是在公司已有的平面MOSFET(包括 FRMOS)成熟的設計平臺及工藝平臺的基礎上進行的研制;新一代超結 MOSFET(SJMOS-FD)是在公司已有的超結 MOSFET 產品設計平臺的基礎上進行的研制;
40V-200V 屏蔽柵 MOSFET 是在公司已有屏蔽柵MOSFET 產品設計平臺上研制;高壓高速柵極驅動 IC 是在公司已有的功率 IC設計平臺、測試及驗證平臺、可靠性考核平臺、積累的 IP、成熟的工藝加工平臺等基礎之上研制;IPM 是在公司已有的柵極驅動 IC 及 FRMOS 基礎上進行的研制;光繼電器(Photo MOS)是公司在 MOSFET 工藝平臺上結合公司擁有的光電轉換芯片技術的基礎上研制。
該項目實施旨在繼續(xù)加強技術積淀、進一步完善和豐富產品系列、擴大產品銷售規(guī)模,保持高性能、智能化功率半導體產品的優(yōu)勢。項目實施不改變公司主營業(yè)務,是公司原有業(yè)務的延展和深化,項目實施具有可行性。
上述研發(fā)項目是在公司已掌握的核心技術及積累的功率 IC 的 IP 基礎上進行進一步的拓展開發(fā)。
可行性研究報告依據(jù)國家部門及地方政府相關法律、法規(guī)、標準,本著客觀、求實、科學、公正的原則,在現(xiàn)有能夠掌握的資料和數(shù)據(jù)的基礎上,主要就項目建設背景、需求分析及必要性、可行性、建設規(guī)模及內容、建設條件及方案、項目投資及資金來源、社會效益、經濟效益以及項目建設的環(huán)境保護等方面逐一進行研究論證,以確定項目經濟上的合理性、技術上的可行性,為項目投資主體和主管部門提供決策參考。